SRAM存儲器主板基本設(shè)計
2020-04-27 09:37:17
SRAM存儲芯片即是靜態(tài)隨機存取存儲器。它具有靜止存取功能的存儲器芯片,它不需要刷新電路便能保存它內(nèi)部存儲的所有數(shù)據(jù)。 SRAM存儲芯片主要應(yīng)用于需要緩存比較小或?qū)挠幸蟮南到y(tǒng)。例如很多8 BIT 單片機,由于能支持的RAM存儲比較小,內(nèi)部緩存又不夠;或者16 BIT MCU,支持的RAM比較大,但對低功耗有要求而無法用DRAM的系統(tǒng)。那么如何設(shè)計SRAM存儲主板呢?
1.地址緩沖器在提供給存儲器的sa0~sa15地址中加人緩沖器。緩沖器利用74ls244也可以,但因為741ls245布線比較簡單,所以才通過74ls245可單向使用。
2.數(shù)據(jù)緩沖器因為數(shù)據(jù)需要雙向進行,所以才要利用74ls245來進行接收。會將柵極一直打開,通過對存儲器芯片的讀信號來進行方向控制。本次我們采用將pld上存儲器的讀信號設(shè)置為只在cs1有效時才輸出的方法。
3.pld(memdec)ld應(yīng)用于生成對存儲器的片選、de以及we信號中。片選信號是在刷新周期以外、當(dāng)?shù)刂犯呶唬╯a16~sa19)為dh(將d0000h~dffffh設(shè)置在sram主板空間)、且bale為低電平時被選擇的。將存儲器芯片的讀/寫信號設(shè)置為當(dāng)片選和smemr/smemw有效時輸出。
4.各份電源的切換,電池各份的重點將會在于電源切換和片選信號的控制。本次為了簡單起見,只單純獲取vcc和電池(為cn2提供3.6v的電池)的二極管or,但需要注意二極管正向電壓降。如果電源電壓比所提供的電壓低很多的話,則可能會發(fā)生超出操作電壓或者輸入引腳的電壓高于電源電壓的情況。
5.片選控制,為了電池備份,必須使存儲器的片選信號無效。本次我們雖然只利用ce1進行控制,但為了保持較低的損耗電流,必須使ce1可保持與電源電壓相近的值(cy62l28為vcc-0.2v以上)。為了進行片選控制,將會利用作為電源監(jiān)視ic的adm708(模擬器件)和74hc系列的cmos門組成電路。
靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)多年來被廣泛應(yīng)用于各種場合。凡是需要快速存取數(shù)據(jù)方面的應(yīng)用,特別會要求初始存取等待時間比較短的情況下,都會考慮使用SRAM,這已經(jīng)成為一個常識。歷史上SRAM存儲器芯片市場曾經(jīng)幾度起伏,大多數(shù)時候整個存儲器芯片市場需求量會因為一個新的SRAM應(yīng)用而暴漲。
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