半導(dǎo)體存儲(chǔ)器SRAM是靠雙穩(wěn)態(tài)存儲(chǔ)信息,而半導(dǎo)體存儲(chǔ)器DRAM則是靠電容存儲(chǔ)，半導(dǎo)體靜態(tài)存儲(chǔ)器SRAM的存儲(chǔ)原理是依靠雙穩(wěn)態(tài)電路存儲(chǔ)器中最小的存儲(chǔ)單位就是一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個(gè)CMOS晶體管或磁性材料的存儲(chǔ)元,它可存儲(chǔ)一個(gè)二進(jìn)制代碼.由若干個(gè)存儲(chǔ)元組成一個(gè)存儲(chǔ)單元,然后再由許多存儲(chǔ)單元組成一個(gè)存儲(chǔ)器,就用來(lái)存放程序和數(shù)據(jù)了.
 
按其功能可分為:隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(簡(jiǎn)稱(chēng)RAM)和只讀存儲(chǔ)器(只讀ROM) RAM包括DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)和SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器),當(dāng)關(guān)機(jī)或斷電時(shí),其中的信息都會(huì)隨之丟失. DRAM主要用于主存(內(nèi)存的主體部分),SRAM主要用于高速緩存存儲(chǔ)器.ROM 主要用于BIOS存儲(chǔ)器.按其制造工藝 可分為:雙極晶體管存儲(chǔ)器和MOS晶體管存儲(chǔ)器.按其存儲(chǔ)原理可分為:靜態(tài)和動(dòng)態(tài)兩種.
 
 
SRAM是英文Static RAM的縮寫(xiě),它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存,不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù) 說(shuō)具體點(diǎn)就是高速緩存或者說(shuō)是二級(jí)緩存。SRAM靠寄存器來(lái)存儲(chǔ)信息,DRAM靠MOS管的柵電容上的電荷來(lái)存儲(chǔ)信息,需要進(jìn)行周期性的刷新操作.
 
靜態(tài)ram是靠雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器來(lái)記憶信息的;動(dòng)態(tài)RAM是靠MOS電路中的柵極電容來(lái)記憶信息的.由于電容上的電荷會(huì)泄漏,需要定時(shí)給與補(bǔ)充,所以動(dòng)態(tài)RAM需要設(shè)置刷新電路.但動(dòng)態(tài)RAM比靜態(tài)RAM集成度高、功耗低,從而成本也低,
 
 
本文關(guān)鍵詞：SRAM   ram

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