ISSI現(xiàn)在正在生產(chǎn)32Mb高速低功耗異步SRAM,這是我們SRAM產(chǎn)品系列的最新產(chǎn)品。這種創(chuàng)新的設(shè)計(jì)加強(qiáng)了ISSI對(duì)具有最高質(zhì)量和性能的SRAM的長(zhǎng)期承諾。
32Mb
SRAM在汽車(chē)A3溫度范圍(-40°C至+ 125°C)下提供12ns的訪問(wèn)時(shí)間。
ISSI IS61 / 64WV204816ALL / BLL是高速32M位靜態(tài)RAM,組織為2048K字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技術(shù)制造的。
這種高度可靠的工藝加上創(chuàng)新的電路設(shè)計(jì)技術(shù),可生產(chǎn)出高性能和低功耗的設(shè)備。
當(dāng)CS#為高電平(取消選擇)時(shí),器件將進(jìn)入待機(jī)模式,在該模式下,可以通過(guò)CMOS輸入電平降低功耗。使用芯片使能和輸出使能輸入可輕松擴(kuò)展存儲(chǔ)器。激活的LOW Write Enable(WE#)控制存儲(chǔ)器的寫(xiě)入和讀取。數(shù)據(jù)字節(jié)允許訪問(wèn)高字節(jié)(UB#)和低字節(jié)(LB#)。
該器件采用JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的48引腳TSOP(TYPE I)和48引腳微型BGA(6mm x 8mm)封裝,應(yīng)用范圍在汽車(chē)/工業(yè)/醫(yī)療/電信/網(wǎng)絡(luò)等。
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IS61WV204816BLL (I) |
IS64WV204816BLL (A3) |
注釋 |
溫度支持 |
工業(yè)
(-40°C to +85°C) |
汽車(chē)
(-40°C to +125°C) |
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技術(shù) |
40nm |
40nm |
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電源電壓 |
2.4V ~ 3.6V |
2.4V ~ 3.6V |
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工作電流(最大) |
100mA |
135mA |
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待機(jī)電流(Typ) |
10mA |
10mA |
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包裝 |
TSOP-I(48針)
BGA(48球) |
TSOP-I(48針)
BGA(48球) |
引腳兼容
16Mb異步SRAM |
速度 |
10ns |
12ns |
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銅引線(xiàn)框 |
是 |
是 |
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無(wú)鉛PKG |
是 |
是 |
符合RoHS |
SRAM存儲(chǔ)器是隨機(jī)存取存儲(chǔ)器之一。每個(gè)字節(jié)或字都有一個(gè)地址,可以隨機(jī)訪問(wèn)。 SRAM支持三種不同的模式。每個(gè)功能在下面的“真值表”中進(jìn)行了描述。
待機(jī)模式
取消選擇時(shí),設(shè)備進(jìn)入待機(jī)模式(CS#高)。輸入和輸出引腳(I / O0-15)處于高阻抗?fàn)顟B(tài)。此模式下的CMOS輸入將最大程度地節(jié)省功率。
寫(xiě)模式
選擇芯片(CS#)且寫(xiě)使能(WE#)輸入為L(zhǎng)OW時(shí)發(fā)生寫(xiě)操作問(wèn)題。輸入和輸出引腳(I / O0-15)處于數(shù)據(jù)輸入模式。即使OE#為L(zhǎng)OW,在此期間輸出緩沖區(qū)也會(huì)關(guān)閉。 UB#和LB#啟用字節(jié)寫(xiě)入功能。通過(guò)將LB#設(shè)為低電平,將來(lái)自I / O引腳(I / O0至I / O7)的數(shù)據(jù)寫(xiě)入地址引腳上指定的位置。且UB#為低電平時(shí),來(lái)自I / O引腳(I / O8至I / O15)的數(shù)據(jù)被寫(xiě)入該位置。
讀取模式
選擇芯片時(shí)(CS#為低電平),寫(xiě)使能(WE#)輸入為高電平時(shí),讀操作出現(xiàn)問(wèn)題。當(dāng)OE#為L(zhǎng)OW時(shí),輸出緩沖器打開(kāi)以進(jìn)行數(shù)據(jù)輸出。不允許在讀取模式下對(duì)I / O引腳進(jìn)行任何輸入。 UB#和LB#啟用字節(jié)讀取功能。通過(guò)啟用LB#LOW,來(lái)自?xún)?nèi)存的數(shù)據(jù)出現(xiàn)在I / O0-7上。且UB#為低電平時(shí),來(lái)自?xún)?nèi)存的數(shù)據(jù)出現(xiàn)在I / O8-15上。
在讀取模式下,可以通過(guò)將OE#拉高來(lái)關(guān)閉輸出緩沖器。在此模式下,內(nèi)部設(shè)備作為READ操作,但I(xiàn) / O處于高阻抗?fàn)顟B(tài)。由于器件處于讀取模式,因此使用有功電流。
上電初始化
該器件包括用于啟動(dòng)上電初始化過(guò)程的片上電壓傳感器。
當(dāng)VDD達(dá)到穩(wěn)定水平時(shí),器件需要150us的tPU(上電時(shí)間)來(lái)完成其自初始化過(guò)程。
初始化完成后,設(shè)備即可正常運(yùn)行。
本文關(guān)鍵詞:SRAM 低功耗異步SRAM
ISSI代理
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