三星、海力士爭搶未來存儲市場
2017-02-22 14:50:49
據(jù)悉,SK海力士將在錫啟動第二工廠建設(shè),二期投資36億美元,估計未來應(yīng)該會做Flash;三星電子于2017~2018年,將對西安3D NAND Flash廠加大投資力度,業(yè)界人士預(yù)估共將投資約5兆韓元(約43.5億美元),以迎接
存儲芯片場史上最大需求浪潮。
業(yè)內(nèi)人士都能看出來這是在針對中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),目的是抑制紫光長江存儲的建設(shè)發(fā)展。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)兩大國際頂級巨頭,同時針對紫光,必定有備而來。實際上巨頭巨額投入,資源、人才、客戶的爭搶必然走入死胡同,低價競爭必然不可取,不知道紫光如何應(yīng)對?
紫光現(xiàn)在手握大量資金,卻一直沒有遇到好的項目,去年底強勢并購中芯,中芯董事長周子學(xué)以紫光旗下 IC 設(shè)計公司展訊、紫光國芯為由,指出其將與中芯、高通等客戶產(chǎn)生利益沖突,力保中芯的獨立性,才止住紫光并中芯的計劃。
因為DRAM價格因供給短缺而以高角度上揚之賜,韓國兩大存儲器廠三星與SK海力士,今年半導(dǎo)體營業(yè)利潤年增五成,來到史無前例的25兆韓圜。
存儲器市況從去年一路走高,2017年供給有限,而市場需求增加的狀況下,存儲器今年有望延續(xù)漲勢。近期DRAM漲勢主要由三星主導(dǎo),且漲勢仍未平息,首季標(biāo)準(zhǔn)型DRAM漲幅逾三成,服務(wù)器用DRAM漲幅在25~30%、移動DRAM約15~20%。三大應(yīng)用領(lǐng)域同飆,讓主要供應(yīng)商SK海力士、三星、美光去年營運翻身,股價也大爆發(fā),尤其美光股價大漲1.3倍,格外受到矚目。
紫光武漢廠動工的節(jié)點,三星、海力士同時加碼存儲器。爭搶未來市場的動機明顯,武漢新芯(長江存儲)未來競爭將會難上加難,技術(shù)、市場、人才可謂沒可能與兩大巨頭抗衡,依靠資金換未來的方法也不知道能否成功。