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非易失性MRAM技術(shù)發(fā)展

2020-06-15 09:29:02

切換(或場(chǎng)驅(qū)動(dòng))MRAM包括大部分的獨(dú)立MRAM設(shè)備。然而切換MRAM的規(guī)模不足以取代大多數(shù)其他記憶。STT-MRAM產(chǎn)品將擴(kuò)展到更高的密度,需要更低的能量寫比切換MRAM。2019年已發(fā)運(yùn)大部分MRAM內(nèi)存的Everspin開(kāi)始向STT-MRAM發(fā)運(yùn)最高1Gb的芯片容量,這種內(nèi)存密度使這些設(shè)備在許多應(yīng)用中更受關(guān)注。

主要的嵌入式半導(dǎo)體制造商為工業(yè)和消費(fèi)應(yīng)用中使用的嵌入式產(chǎn)品提供MRAM非易失性存儲(chǔ)器選項(xiàng)。這些鑄造廠包括全球鑄造廠、英特爾、三星和TSMC。

STT-MRAM有很高的性能,但不如最快的靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器快。然而一種被稱為自旋軌道轉(zhuǎn)矩(SOT)的MRAM技術(shù)有潛力匹配靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的性能。

磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(場(chǎng)或自旋器件)使用一個(gè)選擇晶體管作為存儲(chǔ)單元,見(jiàn)下圖1。MRAM單元可以具有專用晶體管,或者該晶體管可以在兩個(gè)存儲(chǔ)單元之間共享。在用于MRAM生產(chǎn)之前,必須在晶片上創(chuàng)建特定的選擇晶體管設(shè)計(jì)。
 

圖1 MRAM記憶細(xì)胞

目前MRAM軟件技術(shù)正在世界各地的實(shí)驗(yàn)室中開(kāi)發(fā),但是隨著STT-MRAM產(chǎn)品成本的降低,無(wú)論是嵌入式產(chǎn)品還是獨(dú)立產(chǎn)品,MRAM軟件技術(shù)都可能成為MRAM取代最快的靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器應(yīng)用的手段,提供更高的非易失性存儲(chǔ)器密度,從而支持非常低功耗的物聯(lián)網(wǎng)和人工智能應(yīng)用。

Everspin代理MRAM
 
Density Org. Part Number Pkg. Voltage Temp Order Multiple /Tray MOQ / Tray MOQ / T&R
4Mb 512Kx8 MR25H40CDC 8-DFN 3.3V Industrial 570 1,140 4,000
4Mb 512Kx8 MR25H40CDCR 8-DFN 3.3v Industrial 570 1140 4000
4Mb 512Kx8 MR25H40CDF 8-DFN sf 3.3V Industrial 570 1,140 4,000
4Mb 512Kx8 MR25H40CDFR 8-DFN sf 3.3v Industrial 570 1140 4000
4Mb 512Kx8 MR25H40MDF 8-DFN sf 3.3V AEC-Q100 Grade 1 570 1,140 4,000
4Mb 512Kx8 MR25H40MDFR 8-DFN sf 3.3v AEC-Q100 Grade 1 570 1140 4000
4Mb 512Kx8 MR25H40VDF 8-DFN sf 3.3v Extended 570 1140 4000
4Mb 512Kx8 MR25H40VDFR 8-DFN sf 3.3v Extended 570 1140 4000
4Mb 512Kx8 MR20H40CDF 8-DFN sf 3.3V Industrial 570 1,140 4,000
4Mb 512Kx8 MR20H40CDFR 8-DFN sf 3.3V Industrial 570 1,140 4,000


本文關(guān)鍵詞:MRAM  STT-MRAM

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