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Everspin AEC認(rèn)證的汽車應(yīng)用MRAM

2020-07-16 09:40:04

MRAM是一種使用電子自旋來存儲信息的存儲技術(shù)。MRAM具有成為通用存儲器的潛力-能夠?qū)⒋鎯Υ鎯ζ鞯拿芏扰cSRAM的速度結(jié)合在一起,同時始終保持非易失性和高能效。Everspin MRAM可以抵抗高輻射,可以在極端溫度條件下運行,并且可以防篡改。這使得MRAM適用于汽車,工業(yè),軍事和太空應(yīng)用。Everspin總代理英尚微電子提供技術(shù)支持產(chǎn)品解決方案。
 
下面介紹Everspin AEC認(rèn)證的汽車應(yīng)用MRAM
 
MRAM非易失性存儲器幾乎可以在任何汽車系統(tǒng)中提高性能并降低成本

 
•以全總線速度保存數(shù)據(jù)
•意外斷電后立即恢復(fù)狀態(tài)
•提供AEC Q-100合格的1級(-40 / 125°C)和3級(-40 / 85°C)
保護(hù)有價值的數(shù)據(jù)并降低成本MRAM內(nèi)存是保留寶貴的車輛數(shù)據(jù),簡化設(shè)計并降低BOM成本的最佳解決方案。

 
保護(hù)寶貴數(shù)據(jù)的最佳解決方案
•不需要額外的內(nèi)存用于磨損均衡
•消除了昂貴的電容器
•不再需要功率損耗檢測電路
•簡化系統(tǒng)固件,始終保持非易失性

 
簡化并降低BOM成本
•無限的耐用性,可安全保存程序代碼
•快速寫入-以系統(tǒng)總線速度工作的內(nèi)存
•非易失性,數(shù)據(jù)保持溫度> 20年
•不需要電容器,電池或緩沖液
 
最大化控制系統(tǒng)的數(shù)據(jù)訪問
MRAM在保持非易失性的同時最大化數(shù)據(jù)收集率

 
由于較長的讀/寫周期,耐用性限制而導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失

 
無遺漏數(shù)據(jù),寫入速度與SRAM一樣快,非易失性,無磨損,電源故障期間無數(shù)據(jù)丟失
 
MRAM像SRAM一樣是快速寫入的,而像Flash一樣也是非易失性的,但是不需要頁面擦除或長寫入周期。事件數(shù)據(jù)可以以總線速度保存到MRAM,并且即使意外斷電或掉電也可以保持持久性。
 
Everspin AEC認(rèn)證的汽車應(yīng)用MRAM
 

汽車應(yīng)用Serial MRAM

Density Org. Part Number Pkg. Voltage Temp Order Multiple /Tray MOQ / T&R
256Kb 32Kx8 MR25H256MDFR 8-DFN sf 3.3v AEC-Q100 Grade 1 570 4000
256Kb 32Kx8 MR25H256MDCR 8-DFN 3.3v AEC-Q100 Grade 1 570 4000
1Mb 128Kx8 MR25H10MDC 8-DFN 3.3V AEC-Q100 Grade 1 570 4,000
256Kb 32Kx8 MR25H256MDC 8-DFN 3.3V AEC-Q100 Grade 1 570 4,000
4Mb 512Kx8 MR25H40MDF 8-DFN sf 3.3V AEC-Q100 Grade 1 570 4,000
1Mb 128Kx8 MR25H10MDF 8-DFN sf 3.3V AEC-Q100 Grade 1 570 4,000
256Kb 32Kx8 MR25H256MDF 8-DFN sf 3.3V AEC-Q100 Grade 1 570 4,000
256Kb 32Kx8 MR25H256AMDFR 8-DFN sf 3.3v AEC-Q100 Grade 1 570 4000
256Kb 32Kx8 MR25H256AMDF 8-DFN sf 3.3v AEC-Q100 Grade 1 570 4000
1Mb 128Kx8 MR25H10MDFR 8-DFN sf 3.3v AEC-Q100 Grade 1 570 4000
1Mb 128Kx8 MR25H10MDCR 8-DFN 3.3v AEC-Q100 Grade 1 570 4000
4Mb 512Kx8 MR25H40MDFR 8-DFN sf 3.3v AEC-Q100 Grade 1 570 4000
128Kb 16Kx8 MR25H128AMDF 8-DFN sf 3.3v AEC-Q100 Grade 1 570 4,000
128Kb 16Kx8 MR25H128AMDFR 8-DFN sf 3.3v AEC-Q100 Grade 1 570 4,000

 汽車應(yīng)用Parellel MRAM
Density Org. Part Number Pkg. Voltage Temp MOQ(pcs) / Tray MOQ(pcs)/ T&R
4Mb 256Kx16 MR2A16AMYS35 44-TSOP2 3.3V AEC-Q100 Grade 1 270 1,500
1Mb 64Kx16 MR0A16AMYS35 44-TSOP 3.3V AEC-Q100 Grade 1 270 1,500
4Mb 512Kx8 MR2A08AMYS35 44-TSOP 3.3V AEC-Q100 Grade 1 1,500 270
4Mb 512Kx8 MR2A08AMYS35R 44-TSOP2 3.3v AEC-Q100 Grade 1 1500 270
1Mb 64Kx16 MR0A16AMYS35R 44-TSOP2 3.3v AEC-Q100 Grade 1 270 1500
4Mb 256Kx16 MR2A16AMYS35R 44-TSOP2 3.3v AEC-Q100 Grade 1 270 1500
2Mb 128Kx16 MR1A16AMYS35 44-TSOP2 3.3v AEC-Q100 Grade 1 270 1500
2Mb 128Kx16 MR1A16AMYS35R 44-TSOP2 3.3v AEC-Q100 Grade 1 270 1500


本文關(guān)鍵詞:MRAM   汽車MRAM

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英尚微電子中國區(qū)指定的授權(quán)代理:VTI、NETSOL、JSC濟(jì)州半導(dǎo)體(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC; 著名半導(dǎo)體品牌的專業(yè)分銷商  如:RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。
 

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