STM32外擴SRAM芯片IS62wv51216兼容替換
2020-07-29 11:52:56
STM32MCU一般情況下配置有1~2MB雙塊Flash存儲器和256KB SRAM,在某些應(yīng)用設(shè)計中會出現(xiàn)內(nèi)置RAM不足的情況,需要對STM32單片機進行外擴RAM的處理,可以選擇更換更高RAM容量的單片機,除了價格貴還需要涉及其他被動器件的更改,STM32系列可以通過FMSC接口外擴并口SRAM,比如采用ISSI的IS62WV51216,
IS62WV51216 SRAM芯片是一個8M容量,組織結(jié)構(gòu)為512K*16的高速率低功耗靜態(tài)隨機存儲器。IS62WV51216高性能CMOS工藝制造。高度可靠的工藝水準再加創(chuàng)新的電路設(shè)計技術(shù),造就了這款高性能,低功耗的器件。使用IS62WV51216的片選引腳和輸出使能引腳,可以簡單實現(xiàn)存儲器擴展。
我司推出一款I(lǐng)S62WV51216的兼容替換物料VTI508NL16,VTI508NL16 SRAM芯片的容量達到了512K×16bit,即為8Mb,相當大的容量,可作為強大微處理器的主緩存使用,可以PIN TO PIN兼容替換IS62WV51216,VTI508NL16產(chǎn)品使用CMOS高性能技術(shù)制造, 通常僅以375mW的功率工作。低功耗提供了電池備份數(shù)據(jù)保留功能,器件采44TSOP2引腳封裝, VTI508NL16 SRAM芯片的供電電壓VCC的范圍為2.7~3.6V,屬于普通主板都能提供的弱電輸入電壓。
當然,其作為SRAM最大的特點就是在主機斷電后,仍能通過由電池供電,繼續(xù)保存已經(jīng)存儲在芯片中的數(shù)據(jù),并且其數(shù)據(jù)保存所需的電壓VDR降低到1.5V最低,而所需的電流IDR更是低至4μA最大值,SRAM芯片相比DRAM的優(yōu)點在于不需要刷新電路就能保存內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù),而且更為快速、低功耗。讀寫延時在45/55ns左右,可謂是響應(yīng)極其迅速的一款產(chǎn)品,適合用在需高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)脑O(shè)備當中。
規(guī)格書下載:
IS62wv51216兼容替換型號
更多詳情點擊該鏈接:低功耗SRAM芯片選型
本文關(guān)鍵詞: ram IS62wv51216
相關(guān)文章: 射頻芯片設(shè)備造價和流程復雜度遠高于MCU
深圳市英尚微電子有限公司是一家專業(yè)的靜態(tài)隨機記憶體產(chǎn)品及方案提供商,十年來專業(yè)致力代理分銷存儲芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM(DDR1/DDR2/DDR3)等,為客人提供性價比更高的產(chǎn)品及方案。
英尚微電子中國區(qū)指定的授權(quán)代理:VTI、NETSOL、JSC濟州半導體(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC; 著名半導體品牌的專業(yè)分銷商 如:RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。