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國產(chǎn)星憶高速異步X型隨機(jī)存儲芯片XM8A01M16V33A

2020-09-07 10:54:19

XRAM是一種旨在以具有競爭力的價格提供高密度和高性能ram的新型內(nèi)存體系結(jié)構(gòu).XRAM使用先進(jìn)的DRAM技術(shù)和自刷新體系結(jié)構(gòu)顯著提高了內(nèi)存密度并簡化了用戶界面。
 
XRAM是一種基于先進(jìn)的DRAM工藝,再結(jié)合星憶創(chuàng)新的三態(tài)DRAM和免刷新DRAM兩種專利技術(shù)的新型存儲器件。不同于傳統(tǒng)的DRAM芯片和SRAM,它具有以下特點(diǎn):
• 成本 同等條件下晶圓面積節(jié)省30% ,晶圓產(chǎn)出預(yù)估可以增加25%
• 速度, 數(shù)據(jù)讀取延時達(dá)到10ns級,相比DRAM要快10倍
• 存儲密度, 單片支持Mbit和Gbit
• 功耗, 存儲陣列損耗減少40%
• 無刷新, 簡化控制器設(shè)計和時序操作,完全隨機(jī)訪問,提高總線利用率
• 高可靠性,支持-40~125攝氏度環(huán)境溫度
 
 
XM8A01M16V33A在功能上等效于異步SRAM,是一種高性能16M CMOS國產(chǎn)SRAM存儲器芯片,組織為1024K字乘以16位和2048K字乘以8位,支持異步SRAM存儲芯片接口。
 
 
XM8A01M16V33A(1M×16)48引腳TSOP I引腳排列
 
XM8A01M16V33A特征
•異步XRAM芯片內(nèi)存
•高速訪問時間
•tAA = 10/12納秒
•低有功功率
•ICC = 80 MHz時為75 mA
•低CMOS待機(jī)電流
•ISB2 = 40 mA(典型值)
•工作電壓范圍:2.2 V至3.6 V
•取消選擇時自動掉電
•TTL兼容的輸入和輸出
•提供44引腳TSOP II,48引腳TSOP I封裝和48焊球FBGA封裝
 
星憶存儲專注于XRAM產(chǎn)品開發(fā)設(shè)計,提供高性能和低延時,低功耗及免刷新動態(tài)隨機(jī)存儲器芯片產(chǎn)品。致力于通過創(chuàng)新型存儲芯片技術(shù)商業(yè)化、產(chǎn)業(yè)化的過程,帶動國產(chǎn)存儲器芯片的底層技術(shù)攻關(guān)和相關(guān)科研工作,從而推動國產(chǎn)存儲芯片設(shè)計前端產(chǎn)業(yè)變革和更進(jìn)一步的發(fā)展。星憶存儲代理商英尚微電子支持提供驅(qū)動、例程、必要的FAE支持等技術(shù)支持。
 

本文關(guān)鍵詞:高速異步SRAM   XM8A01M16V33A

 

上一篇文章:富士通FRAM在ADAS中的應(yīng)用
 


深圳市英尚微電子有限公司是一家專業(yè)的靜態(tài)隨機(jī)記憶體產(chǎn)品及方案提供商,十年來專業(yè)致力代理分銷存儲芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM(DDR1/DDR2/DDR3)等,為客人提供性價比更高的產(chǎn)品及方案。

英尚微電子中國區(qū)指定的授權(quán)代理:VTI、NETSOL、JSC濟(jì)州半導(dǎo)體(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC; 著名半導(dǎo)體品牌的專業(yè)分銷商  如:RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。
 

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