賽普拉斯的NV-SRAM將標(biāo)準(zhǔn)快速SRAM單元（訪問時(shí)間高達(dá)20 ns）與基于硅氧化物和亞硝酸鹽，氧化物硅（SONOS）的非易失性存儲元件相結(jié)合，可提供快速的異步讀寫訪問速度，并在其整個(gè)工作范圍內(nèi)具有20年的數(shù)據(jù)保留。具有控制器的典型NV-SRAM接口如圖1所示。

   
高速SRAM單元提供了非常高速的讀寫訪問，并且可以像標(biāo)準(zhǔn)SRAM中一樣無限次地寫入或讀取NV-SRAM。如果斷電則利用存儲在與NV-SRAM的VCAP引腳相連的小電容器中的電荷將SRAM中保存的數(shù)據(jù)傳輸?shù)脚c每個(gè)SRAM單元集成的非易失性元件。 NV-SRAM VCAP引腳上需要的電容器只有幾十µF，典型值為68 µF（有關(guān)VCAP的允許范圍，并在上電期間通過內(nèi)部充電電路進(jìn)行充電。 VCAP上存儲的電荷足以在掉電期間將SRAM數(shù)據(jù)復(fù)制到非易失性元件（稱為存儲操作）。
 
此存儲操作對應(yīng)用程序是透明的，因?yàn)楫?dāng)VCC電源在閾值水平（VSWITCH）以下故障時(shí)會(huì)自動(dòng)執(zhí)行該存儲操作。數(shù)據(jù)從SRAM到集成非易失性元件的并行傳輸意味著存儲（將SRAM數(shù)據(jù)傳輸?shù)椒且资栽┧ㄙM(fèi)的時(shí)間等于一次EEPROM寫（字節(jié)寫或頁寫）操作。上電時(shí)非易失性數(shù)據(jù)會(huì)自動(dòng)傳送回SRAM，這稱為RECALL操作。這使NV-SRAM成為真正的非易失性存儲器，可以在斷電時(shí)將數(shù)據(jù)保存在其非易失性元素中，而無需任何外部電源備份，例如電池或Supercaps。
 
NV-SRAM中的STORE和RECALL操作也可以通過軟件命令按需執(zhí)行。 NV-SRAM具有許多其他功能，新應(yīng)用程序可以使用這些功能。
 
與其他現(xiàn)有電路解決方案相比，賽普拉斯的NV-SRAM提供了最快，最可靠的非易失性解決方案。
 
 
本文關(guān)鍵詞：藍(lán)牙SOC芯片

上一篇文章： 基于Cortex-M0的藍(lán)牙SOC芯片及開發(fā)系統(tǒng)
 

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