XRAM是一種新的存儲器體系結構，旨在以具有競爭力的價格提供高密度和高性能RAM。XRAM使用先進的DRAM技術和自刷新體系結構，顯著提高了存儲器密度，性能并簡化了用戶界面。
 
XM8A51216是星憶存儲科技公司生產(chǎn)的一顆16位寬512K（512*16，即1M字節(jié)）容量的CMOS靜態(tài)內存芯片。該國產(chǎn)SRAM芯片具有如下幾個特點：
 
?高速。具有最高訪問速度10/12ns。
?低功耗。
?TTL電平兼容。
?全靜態(tài)操作。不需要刷新和時鐘電路。
?三態(tài)輸出。
?字節(jié)控制功能。支持高/低字節(jié)控制。
 
XM8A51216功能框圖
   
圖中A0~18為地址線，總共19根地址線（即2^19=512K，1K=1024）；DQ0~15為數(shù)據(jù)線，總共16根數(shù)據(jù)線。CEn是芯片使能信號，低電平有效；OEn是輸出使能信號，低電平有效；WEn是寫使能信號，低電平有效；BLEn和BHEn分別是高字節(jié)控制和低字節(jié)控制信號；


XM8A51216在功能上等效于異步SRAM，是一種高性能8Mbit CMOS存儲器，組織為512K字乘16位和1024K字乘8位，支持異步SRAM存儲器接口。代理商英尚微電子支持產(chǎn)品相關技術支持及解決方案。
 
要寫入設備，請將芯片使能（CE）和寫使能（WE）輸入設為低電平。如果字節(jié)低使能（BLE）為低，則來自I/O引腳（DQ0至DQ7）的數(shù)據(jù)被寫入地址引腳（A0至A18）上指定的位置。如果字節(jié)高使能（BHE）為低電平，則來自I/O引腳（DQ8至DQ15）的數(shù)據(jù)將寫入地址引腳（A0至A18）上指定的位置。要從器件讀取，請將芯片使能（CE）和輸出使能（OE）設為低電平，同時將寫入使能（WE）設為高電平。如果字節(jié)低使能（BLE）為低，則地址引腳指定的存儲器位置中的數(shù)據(jù)出現(xiàn)在DQ0至DQ7上。如果字節(jié)高使能（BHE）為低，則來自存儲器的數(shù)據(jù)出現(xiàn)在DQ8到DQ15上。有關讀取和寫入模式的完整說明，請參見第8頁的真值表。
 
取消選擇器件（CE），禁用輸出（OEHIGH），禁用BHE和BLE（BHE，BLEHIGH）或以下操作時，輸入或輸出引腳（DQ0至DQ15）處于高阻抗狀態(tài)寫操作（CE和WELOW）。突發(fā)模式引腳（MODE）定義突發(fā)序列的順序。當置為高電平時，選擇交錯的突發(fā)序列。當拉低時，選擇線性突發(fā)序列。



本文關鍵詞：SRAM

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