2021年全球存儲(chǔ)產(chǎn)品全線提價(jià)。2月底的DRAM、內(nèi)存模塊、
NAND FLASH、NOR Flash等的價(jià)格均出現(xiàn)調(diào)漲。以內(nèi)存的價(jià)格為例——DRAMeXchange數(shù)據(jù)顯示,截至今年2月3日,8Gb DDR4內(nèi)存顆粒報(bào)價(jià)達(dá)到3.93美元,去年8月的報(bào)價(jià)僅為2.54美元。
去年下半年因疫情管控、停電、產(chǎn)能緊張、超額預(yù)訂等問題突顯,加上晶圓代工產(chǎn)能吃緊、原廠釋放到SSD渠道市場的NAND Flash資源較少、大廠增加了備貨庫存……諸多因素疊加,對(duì)產(chǎn)能產(chǎn)生了排擠效應(yīng)。隨著PC、5G手機(jī)、汽車、數(shù)據(jù)中心對(duì)存儲(chǔ)性能和容量需求的不斷提升,預(yù)期2021年
NAND閃存行業(yè)會(huì)大幅增長,對(duì)Client SSD 主控芯片、eMMC/UFS主控芯片及車用儲(chǔ)存的需求也會(huì)明顯增加。
當(dāng)前即使緊急新增投產(chǎn)8英寸晶圓產(chǎn)線,在短期內(nèi)也較難看到明顯的產(chǎn)能增長。近期臺(tái)積電宣布取消12英寸晶圓代工3%的折扣,業(yè)內(nèi)猜測12英寸晶圓產(chǎn)能也將吃緊。再加上終端需求在提升,在晶圓產(chǎn)能尚未緩解之前,存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)鏈也或?qū)⒚媾R緊張的局面。
就算不考慮最直接的產(chǎn)能問題,發(fā)展大數(shù)據(jù)存儲(chǔ)也要解決很多問題。據(jù)IDC預(yù)測,2023年將有超過100ZB的數(shù)據(jù)產(chǎn)生,這將改變大家對(duì)整個(gè)行業(yè)的看法和預(yù)期,也對(duì)下一代存儲(chǔ)技術(shù)提出新的要求。
數(shù)據(jù)量的增長也將給大數(shù)據(jù)存儲(chǔ)帶來新的挑戰(zhàn),這些挑戰(zhàn)包括——“如何提高存儲(chǔ)的安全性”“減低傳輸?shù)难舆t性”“適當(dāng)?shù)匕褦?shù)據(jù)依級(jí)存儲(chǔ)”。當(dāng)5G、IoT將進(jìn)入ZB存儲(chǔ)時(shí)代,新的數(shù)據(jù)將以等比的成長速度不斷產(chǎn)生,舊的存儲(chǔ)架構(gòu)將無法滿足應(yīng)用。Arm的存儲(chǔ)方案團(tuán)隊(duì)很早就針對(duì)新的應(yīng)用,提供完整的即時(shí)處理器/應(yīng)用處理器/安全性IP與系統(tǒng)IP,如去年推出的Cortex-R82,專為加速下一代企業(yè)與計(jì)算型存儲(chǔ)解決方案的發(fā)展與部署所設(shè)計(jì)。
伴隨5G及IoT的普及,各類數(shù)據(jù)將匯集至云端并加以保存和利用,
閃存及固態(tài)硬盤將成為大數(shù)據(jù)存儲(chǔ)端的主角,為了足以應(yīng)對(duì)全球?qū)?shù)據(jù)存儲(chǔ)的強(qiáng)勁需求,首先增加閃存及固態(tài)硬盤的供應(yīng)量,并通過采取技術(shù)革新手段,不斷增加每片芯片、每臺(tái)驅(qū)動(dòng)器的容量,為構(gòu)筑數(shù)字化轉(zhuǎn)型所需的基礎(chǔ)設(shè)施做出貢獻(xiàn)。
大數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的落地主要面臨三大挑戰(zhàn):第一,海量、多元數(shù)據(jù)的存放。分布在多個(gè)平臺(tái)和地理位置的數(shù)據(jù)被以不同的?式采集與傳輸,數(shù)據(jù)從單?內(nèi)部?數(shù)據(jù)形態(tài)向多元?jiǎng)討B(tài)?數(shù)據(jù)發(fā)展,?量?本、圖?、視頻等?結(jié)構(gòu)化數(shù)據(jù)正源源不斷產(chǎn)?和存儲(chǔ);第二,數(shù)據(jù)的實(shí)時(shí)處理。到2023年實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)將占全球數(shù)據(jù)圈25%的份額。其中金融的風(fēng)險(xiǎn)評(píng)估、交通的自動(dòng)駕駛、運(yùn)營商的智能網(wǎng)絡(luò)等許多場景,都要依賴快速實(shí)時(shí)的數(shù)據(jù)采集、存儲(chǔ)和分析得以實(shí)現(xiàn);第三,非結(jié)構(gòu)化數(shù)據(jù)以及將其結(jié)構(gòu)化后的數(shù)據(jù),在多云之間的流動(dòng)、共享。到2022年50%以上的由企業(yè)生成的數(shù)據(jù),將在數(shù)據(jù)中心或云端以外的地方進(jìn)行創(chuàng)建和處理。這些數(shù)據(jù)可能會(huì)被保存在私有云、公有云上,在不同公有云之間進(jìn)行共享。
信息技術(shù)與經(jīng)濟(jì)社會(huì)的交匯融合引發(fā)了數(shù)據(jù)迅猛增長,企業(yè)級(jí)、消費(fèi)級(jí)存儲(chǔ)空間需求激增。傳統(tǒng)數(shù)據(jù)庫在應(yīng)付海量數(shù)據(jù)時(shí),暴露出并發(fā)性低,擴(kuò)展性差,效率低下等問題。大數(shù)據(jù)存儲(chǔ)呈現(xiàn)高效能、低成本、低延時(shí)的發(fā)展趨勢。
由于海量的數(shù)據(jù)無法被完全存儲(chǔ)下來,“如何盡可能地提升存儲(chǔ)容量”或“哪些數(shù)據(jù)有被存儲(chǔ)的價(jià)值”將是廠商考量的重點(diǎn)。未來全球?qū)?huì)有90%左右的數(shù)據(jù)由機(jī)器產(chǎn)生,這主要是順序型寫入的流媒體數(shù)據(jù),弄清楚“哪些數(shù)據(jù)需要被實(shí)時(shí)計(jì)算”“哪些數(shù)據(jù)需要被存儲(chǔ)”非常關(guān)鍵,這些非結(jié)構(gòu)化數(shù)據(jù)如何實(shí)現(xiàn)“瘦身”、提升存儲(chǔ)效能?
本文關(guān)鍵詞: NAND FLASH
相關(guān)文章: ?NOR Flash市場增量的幾大應(yīng)用領(lǐng)域
深圳市英尚微電子有限公司是一家專業(yè)的靜態(tài)隨機(jī)記憶體產(chǎn)品及方案提供商,十年來專業(yè)致力代理分銷存儲(chǔ)芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM(DDR1/DDR2/DDR3)等,為客人提供性價(jià)比更高的產(chǎn)品及方案。
英尚微電子中國區(qū)指定的授權(quán)代理:VTI、NETSOL、JSC濟(jì)州半導(dǎo)體(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC; 著名半導(dǎo)體品牌的專業(yè)分銷商 如:RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。
?更多資訊關(guān)注SRAMSUN. www.henhenlu10.com 0755-66658299