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Everspin代理256Mb ST-DDR3自旋轉(zhuǎn)移扭矩MRAM

2021-04-30 09:16:45

Everspin公司型號EMD3D256M08/16B 256Mb DDR3自旋轉(zhuǎn)移扭矩MRAM(STT-MRAM)是非易失性存儲器,在DDR3速度下具有非揮發(fā)性和高耐久性。該設(shè)備能夠以高達1333MT /秒/引腳的速率進行DDR3操作。它的設(shè)計符合所有DDR3 DRAM功能,包括設(shè)備端接(ODT)和內(nèi)部ZQ校準,但具有數(shù)據(jù)持久性和極高的寫周期耐久性的優(yōu)點。借助Spin-Torque MRAM技術(shù),不需要刷新單元,從而大大簡化了系統(tǒng)設(shè)計并減少了開銷。
 
所有控制和地址輸入均與一對外部提供的差分時鐘同步,輸入鎖存在時鐘交叉點。 I / O與一對雙向選通脈沖(DQS,DQS)同步。該器件使用RAS / CAS多路復(fù)用方案,并在1.5V下工作。
 
特征
•非易失性256Mb(32Mb x 8,16Mb x 16)DDR3
•支持標準DDR3 SDRAM功能
•VDD = 1.5v +/- 0.075v
•高達667MHz fCK(1333MT /秒/針)
•頁面大小為512位(x8)或1024位(x16)
•設(shè)備上終止
•片上DLL將DQ,DQS,DQS轉(zhuǎn)換與CK轉(zhuǎn)換對齊
•所有地址和控制輸入均在時鐘的上升沿鎖存
•突發(fā)長度為8,可編程突發(fā)斬波長度為4
•標準10x13mm 78球(x8)或96球(x16)BGA封裝
 
DDR3 DRAM兼容性
Everspin DDR3自旋扭矩MRAM與JEDEC標準JESD79-3F中定義的DRAM操作的DDR3標準完全兼容。
•自旋扭矩MRAM是非易失性存儲器。無論何時出于任何原因斷開設(shè)備電源,已關(guān)閉/預(yù)充電存儲區(qū)中的所有數(shù)據(jù)都將保留在內(nèi)存中。
•在某些情況下,命令時間會有所不同。
•DDR3標準適用于高于256Mb的密度,從而導(dǎo)致尋址和頁面大小差異。
•突發(fā)類型/突發(fā)順序僅支持CA <2:0 = 000或100的連續(xù)突發(fā)類型。請參見第30頁的“突發(fā)長度,類型和順序”。
 
基本功能
DDR3 STT-MRAM是內(nèi)部配置為八存儲區(qū)RAM的高速自旋扭矩磁阻隨機存取存儲器。它使用8n預(yù)取架構(gòu)來實現(xiàn)高速操作。8n預(yù)取架構(gòu)與旨在在I/O引腳的每個時鐘周期傳輸兩個數(shù)據(jù)字的接口相結(jié)合。DDR3 MRAM的單個讀或?qū)懖僮靼▋?nèi)部STT-MRAM內(nèi)核的單個8n位寬,四個時鐘數(shù)據(jù)傳輸以及I/O引腳上的兩個相應(yīng)的n位寬,半時鐘周期數(shù)據(jù)傳輸。
 
對DDR3 STT-MRAM的讀和寫操作是面向突發(fā)的,從選定的位置開始,并按照編程的順序繼續(xù)進行八次突發(fā)長度或四次“斬波”突發(fā)。操作從激活活動命令的注冊開始,然后是READ或WRITE命令。與激活命令一致注冊的地址位用于選擇要激活的存儲體和行([BA0:BA2]選擇存儲體; A0-A13選擇行);有關(guān)特定要求,與READ或WRITE命令一致的已注冊地址位用于選擇突發(fā)操作的起始列位置,確定是否要發(fā)出自動預(yù)充電命令(通過A10),并“即時”選擇BC4或BL8模式。 (通過A12)(如果在模式寄存器中啟用)。在正常操作之前,必須以預(yù)定義的方式上電并初始化DDR3 STT-MRAM。

EMD3D256M型號表
Density Org. Part Number Voltage Speed Temp Rating Package
256Mb 16Mb x 16 EMD3D256M16G2-150CBS1T 1.5v +/- 0.075v 667 Commercial 96-BGA
256Mb 16Mb x 16 EMD3D256M16G2-150CBS1R 1.5v +/- 0.075v 667 Commercial 96-BGA
256Mb 16Mb x 16 EMD3D256M16G2-150CBS2T 1.5v +/- 0.075v 1333 0-85 BGA
256Mb 32Mb x 8 EMD3D256M08G1-187CBS2T 1.5v +/- 0.075v 1066 0-85 BGA
256Mb 32Mb x 8 EMD3D256M08G1-150CBS2T 1.5v +/- 0.075v 1333 0-85 BGA
256Mb 16Mb x 16 EMD3D256M16G2-187CBS2T 1.5v +/- 0.075v 1066 0-85 BGA
256Mb 16Mb x 16 EMD3D256M16G2-150CBS2R 1.5v +/- 0.075v 1333 0-85 BGA
256Mb 32Mb x 8 EMD3D256M08G1-187CBS2R 1.5v +/- 0.075v 1066 0-85 BGA
256Mb 32Mb x 8 EMD3D256M08G1-150CBS2R 1.5v +/- 0.075v 1333 0-85 BGA
256Mb 16Mb x 16 EMD3D256M16G2-187CBS2R 1.5v +/- 0.075v 1066 0-85 BGA
256Mb 32Mb x 8 EMD3D256M08G1-150CBS1 1.5v +/- 0.075v 667 Commercial 78-BGA
256Mb 32Mb x 8 EMD3D256M08G1-150CBS1T 1.5v +/- 0.075v 667 Commercial 78-BGA
256Mb 32Mb x 8 EMD3D256M08G1-150CBS1R 1.5v +/- 0.075v 667 Commercial 78-BGA
256Mb 16Mb x 16 EMD3D256M16G2-150CBS1 1.5v +/- 0.075v 667 Commercial 96-BGA


本文關(guān)鍵詞:ST-DDR3  EMD3D256M08

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