FLASH閃存是一種非易失性內(nèi)存,閃存在沒(méi)有電流供應(yīng)的條件下也能夠長(zhǎng)久地保持?jǐn)?shù)據(jù),其存儲(chǔ)特性相當(dāng)于硬盤(pán),這項(xiàng)特性正是閃存得以成為各類(lèi)便攜型數(shù)字設(shè)備的存儲(chǔ)介質(zhì)的基礎(chǔ)。Flash存儲(chǔ)器結(jié)合了ROM和RAM的長(zhǎng)處且具備電子可擦除可編程的性能,還不會(huì)因斷電而丟失數(shù)據(jù),具有快速讀取數(shù)據(jù)的特點(diǎn)。Flash總類(lèi)可謂繁多且功能各異,而你對(duì)它了解有多少呢?本篇文章存儲(chǔ)芯片供應(yīng)商英尚微電子帶大家一起來(lái)看看。
SPI NOR FLASH
SPI Nor Flash,采用的是SPI 通信協(xié)議,有4線(時(shí)鐘,兩個(gè)數(shù)據(jù)線,片選線)或者3線(時(shí)鐘,兩個(gè)數(shù)據(jù)線)通信接口,由于它有兩個(gè)數(shù)據(jù)線能實(shí)現(xiàn)全雙工通信,因此比IIC通信協(xié)議的IIC EEPROM的讀寫(xiě)速度上要快很多。SPI Nor Flash具有NOR技術(shù)Flash Memory的特點(diǎn),即程序和數(shù)據(jù)可存放在同一芯片上,擁有獨(dú)立的數(shù)據(jù)總線和地址總線,能快速隨機(jī)讀取,允許系統(tǒng)直接從Flash中讀取代碼執(zhí)行;可以單字節(jié)或單字編程,但不能單字節(jié)擦除,必須以Sector為單位或?qū)φ瑘?zhí)行擦除操作,在對(duì)存儲(chǔ)器進(jìn)行重新編程之前需要對(duì)Sector或整片進(jìn)行預(yù)編程和擦除操作。
Nor Flash在擦寫(xiě)次數(shù)上遠(yuǎn)遠(yuǎn)達(dá)不到IIC EEPROM,并且由于NOR技術(shù)Flash Memory的擦除和編程速度較慢,塊尺寸又較大,因此擦除和編程操作所花費(fèi)的時(shí)間會(huì)很長(zhǎng);但SPI Nor Flash接口簡(jiǎn)單,使用的引腳少易于連接且操作方便,并且可以在芯片上直接運(yùn)行代碼,其穩(wěn)定性出色,傳輸速率高,在小容量時(shí)具有很高的性價(jià)比,這使其很適合應(yīng)于嵌入式系統(tǒng)中作為 FLASH ROM,所以在市場(chǎng)的占用率非常高。
Parallel Nor Falsh
Parallel Nor Falsh,也叫做并行Nor Flash,采用的Parallel接口通信協(xié)議,擁有獨(dú)立的數(shù)據(jù)線和地址總線,它同樣繼承了NOR技術(shù)Flash Memory的所有特點(diǎn);由于采用了Parallel接口。Parallel Nor Falsh相對(duì)于SPI Nor Flash,支持的容量更大,讀寫(xiě)的速度更快,但是由于占用的地址線和數(shù)據(jù)線太多,在電路電子設(shè)計(jì)上會(huì)占用很多資源。Parallel Nor Falsh讀寫(xiě)時(shí)序類(lèi)似于SRAM,只是寫(xiě)的次數(shù)較少,速度也慢,由于其讀時(shí)序類(lèi)似于
SRAM,讀地址也是線性結(jié)構(gòu),所以多用于不需要經(jīng)常更改程序代碼的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。
Parallel Nand Flash
Parallel Nand Flash同樣采用了Parallel接口通信協(xié)議,Nand Flash在工藝制程方面分有三種類(lèi)型:SLC、MLC、TLC。Nand Flash技術(shù)Flash Memory具有以下特點(diǎn):以頁(yè)為單位進(jìn)行讀和編程操作,以塊為單位進(jìn)行擦除操作;具有快編程和快擦除的功能,其塊擦除時(shí)間是2ms,而NOR技術(shù)的塊擦除時(shí)間達(dá)到幾百ms;芯片尺寸小,引腳少,是位成本(bit cost)最低的固態(tài)存儲(chǔ)器;芯片包含有壞塊,其數(shù)目取決于存儲(chǔ)器密度。壞塊不會(huì)影響有效塊的性能,但設(shè)計(jì)者需要有一套的壞塊管理策略!
對(duì)比Parallel Nor Falsh,Nand Flash在擦除和讀寫(xiě)方面的速度快,使用擦寫(xiě)次數(shù)更多,并且它強(qiáng)調(diào)更高的性能和更低的成本,更小的體積,更大的容量,更長(zhǎng)的使用壽命。這使Nand Flash很擅于存儲(chǔ)純資料或數(shù)據(jù)等,在嵌入式系統(tǒng)中用來(lái)支持文件系統(tǒng)。其主要用來(lái)數(shù)據(jù)存儲(chǔ),大部分的U盤(pán)都是使用Nand Flash,當(dāng)前NandFlash在嵌入式產(chǎn)品中應(yīng)用仍然極為廣泛,因此壞塊管理、掉電保護(hù)等措施就需要依賴NandFlash使用廠家通軟件進(jìn)行完善。
SPI Nand Flash
SPI Nand Flash,采用了SPI Nor Flash一樣的SPI的通信協(xié)議,在讀寫(xiě)的速度上沒(méi)什么區(qū)別,但在存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)上卻采用了與Parallel Nand Flash相同的結(jié)構(gòu),所以SPI nand相對(duì)于SPI Nor Flash具有擦寫(xiě)的次數(shù)多,擦寫(xiě)速度快的優(yōu)勢(shì),但是在使用以及使用過(guò)程中會(huì)同樣跟Parallel Nand Flash一樣會(huì)出現(xiàn)壞塊,因此也需要做特殊壞塊處理才能使用;
SPI Nand Flash相對(duì)比Parallel Nand Flash還有一個(gè)重要的特點(diǎn),那就是芯片自己有內(nèi)部ECC糾錯(cuò)模塊,用戶無(wú)需再使用ECC算法計(jì)算糾錯(cuò),用戶可以在系統(tǒng)應(yīng)用當(dāng)中可以簡(jiǎn)化代碼簡(jiǎn)單操作。
FLASH因功能不同,使用的領(lǐng)域也各異,它在電子市場(chǎng)上應(yīng)用極為廣泛,需求量極大,每日的需求量可達(dá)百萬(wàn)的數(shù)量級(jí),英尚微電子存儲(chǔ)芯片供應(yīng)商可提供樣品及技術(shù)方面支持。
本文關(guān)鍵詞: FLASH
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