FRAM只是一種像ram一樣運(yùn)行的高速非易失性存儲(chǔ)器。這允許程序員根據(jù)需要靈活地分配ROM和RAM存儲(chǔ)器映射。它為最終用戶(hù)創(chuàng)造了在底層對(duì)FRAM進(jìn)行編程以根據(jù)他們的個(gè)人喜好進(jìn)行定制的機(jī)會(huì)。獨(dú)立的FRAM允許設(shè)計(jì)人員發(fā)揮創(chuàng)造力，在廣泛的設(shè)計(jì)中探索和使用FRAM。FRAM具有非揮發(fā)性、高速寫(xiě)入、高耐力以及低功耗的特性，適合應(yīng)用在辦公自動(dòng)化設(shè)備、通訊設(shè)備、音響、影音設(shè)備、測(cè)量分析裝置、娛樂(lè)、固態(tài)硬盤(pán)、自動(dòng)柜員機(jī)、FA等領(lǐng)域。富士通代理介紹一款I(lǐng)2C接口的鐵電存儲(chǔ)器。
 
■描述
MB85RC16V是一款FRAM芯片，采用2,048字×8位配置，采用鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元。與SRAM不同，MB85RC16V能夠在不使用數(shù)據(jù)備份電池的情況下保留數(shù)據(jù)。
 
MB85RC16V中使用的存儲(chǔ)單元每字節(jié)至少具有10¹²次讀/寫(xiě)操作耐久性，與其他非易失性存儲(chǔ)產(chǎn)品支持的讀和寫(xiě)操作數(shù)量相比，這是一個(gè)顯著的改進(jìn)。MB85RC16V可以提供以1字節(jié)為單位的寫(xiě)入，因?yàn)椴幌馞lash存儲(chǔ)器和E²PROM需要很長(zhǎng)的寫(xiě)入時(shí)間。因此不需要像寫(xiě)忙狀態(tài)那樣的寫(xiě)完成等待序列。
 
■特點(diǎn)
•位配置：2,048字×8位
•兩線(xiàn)串行接口：完全由兩個(gè)端口控制：串行時(shí)鐘（SCL）和串行數(shù)據(jù)（SDA）。
•工作頻率：1MHz（最大）
•讀/寫(xiě)耐久性：10¹²次/字節(jié)
•數(shù)據(jù)保留：10年(+85℃)、95年(+55℃)、超過(guò)200年(+35℃)
•工作電源電壓：3.0V至5.5V
•低功耗：工作電源電流90μA(Typ@1MHz)待機(jī)電流5μA(Typ)
•工作環(huán)境溫度范圍：−40℃至+85℃
•封裝：8針?biāo)芰蟂OP(FPT-8P-M02)符合RoHS
 
■I2C（內(nèi)部集成電路）
MB85RC16V具有兩線(xiàn)串行接口；I2C總線(xiàn)，并作為從設(shè)備運(yùn)行。
 
I2C總線(xiàn)定義了“主”和“從”設(shè)備的通信角色，主方擁有發(fā)起控制的權(quán)限。此外，I2C總線(xiàn)連接是可能的，其中單個(gè)主設(shè)備連接到派對(duì)線(xiàn)路配置中的多個(gè)從設(shè)備。
 
■I2C通信協(xié)議
I2C總線(xiàn)僅通過(guò)兩條線(xiàn)提供通信，因此，當(dāng)SCL為“L”電平時(shí)，SDA輸入應(yīng)改變。但是，在啟動(dòng)和停止通信序列時(shí)，SDA允許更改，而SCL為“H”電平。
 
•開(kāi)始條件
要通過(guò)I2C總線(xiàn)啟動(dòng)讀或?qū)懖僮?，?qǐng)?jiān)赟CL輸入為“H”電平時(shí)將SDA輸入從“H”電平更改為“L”電平。
 
•停止條件
要停止I2C總線(xiàn)通信，請(qǐng)?jiān)赟CL輸入為“H”電平時(shí)將SDA輸入從“L”電平更改為“H”電平。在讀取操作中，輸入停止條件完成讀取并進(jìn)入待機(jī)狀態(tài)。在寫(xiě)入操作中，輸入停止條件完成重寫(xiě)數(shù)據(jù)的輸入并進(jìn)入待機(jī)狀態(tài)。