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富士通代理I2C接口FRAM芯片MB85RC16V

2021-06-28 09:38:06

FRAM只是一種像ram一樣運(yùn)行的高速非易失性存儲(chǔ)器。這允許程序員根據(jù)需要靈活地分配ROM和RAM存儲(chǔ)器映射。它為最終用戶(hù)創(chuàng)造了在底層對(duì)FRAM進(jìn)行編程以根據(jù)他們的個(gè)人喜好進(jìn)行定制的機(jī)會(huì)。獨(dú)立的FRAM允許設(shè)計(jì)人員發(fā)揮創(chuàng)造力,在廣泛的設(shè)計(jì)中探索和使用FRAM。FRAM具有非揮發(fā)性、高速寫(xiě)入、高耐力以及低功耗的特性,適合應(yīng)用在辦公自動(dòng)化設(shè)備、通訊設(shè)備、音響、影音設(shè)備、測(cè)量分析裝置、娛樂(lè)、固態(tài)硬盤(pán)、自動(dòng)柜員機(jī)、FA等領(lǐng)域。富士通代理介紹一款I(lǐng)2C接口的鐵電存儲(chǔ)器。
 
■描述
MB85RC16V是一款FRAM芯片,采用2,048字×8位配置,采用鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元。與SRAM不同,MB85RC16V能夠在不使用數(shù)據(jù)備份電池的情況下保留數(shù)據(jù)。
 
MB85RC16V中使用的存儲(chǔ)單元每字節(jié)至少具有1012次讀/寫(xiě)操作耐久性,與其他非易失性存儲(chǔ)產(chǎn)品支持的讀和寫(xiě)操作數(shù)量相比,這是一個(gè)顯著的改進(jìn)。MB85RC16V可以提供以1字節(jié)為單位的寫(xiě)入,因?yàn)椴幌馞lash存儲(chǔ)器和E2PROM需要很長(zhǎng)的寫(xiě)入時(shí)間。因此不需要像寫(xiě)忙狀態(tài)那樣的寫(xiě)完成等待序列。
 
■特點(diǎn)
•位配置:2,048字×8位
•兩線(xiàn)串行接口:完全由兩個(gè)端口控制:串行時(shí)鐘(SCL)和串行數(shù)據(jù)(SDA)。
•工作頻率:1MHz(最大)
•讀/寫(xiě)耐久性:1012次/字節(jié)
•數(shù)據(jù)保留:10年(+85℃)、95年(+55℃)、超過(guò)200年(+35℃)
•工作電源電壓:3.0V至5.5V
•低功耗:工作電源電流90μA(Typ@1MHz)待機(jī)電流5μA(Typ)
•工作環(huán)境溫度范圍:−40℃至+85℃
•封裝:8針?biāo)芰蟂OP(FPT-8P-M02)符合RoHS
 
■I2C(內(nèi)部集成電路)
MB85RC16V具有兩線(xiàn)串行接口;I2C總線(xiàn),并作為從設(shè)備運(yùn)行。
 
I2C總線(xiàn)定義了“主”和“從”設(shè)備的通信角色,主方擁有發(fā)起控制的權(quán)限。此外,I2C總線(xiàn)連接是可能的,其中單個(gè)主設(shè)備連接到派對(duì)線(xiàn)路配置中的多個(gè)從設(shè)備。
 
■I2C通信協(xié)議
I2C總線(xiàn)僅通過(guò)兩條線(xiàn)提供通信,因此,當(dāng)SCL為“L”電平時(shí),SDA輸入應(yīng)改變。但是,在啟動(dòng)和停止通信序列時(shí),SDA允許更改,而SCL為“H”電平。
 
•開(kāi)始條件
要通過(guò)I2C總線(xiàn)啟動(dòng)讀或?qū)懖僮?,?qǐng)?jiān)赟CL輸入為“H”電平時(shí)將SDA輸入從“H”電平更改為“L”電平。
 
•停止條件
要停止I2C總線(xiàn)通信,請(qǐng)?jiān)赟CL輸入為“H”電平時(shí)將SDA輸入從“L”電平更改為“H”電平。在讀取操作中,輸入停止條件完成讀取并進(jìn)入待機(jī)狀態(tài)。在寫(xiě)入操作中,輸入停止條件完成重寫(xiě)數(shù)據(jù)的輸入并進(jìn)入待機(jī)狀態(tài)。

 

 
本文關(guān)鍵詞: FRAM芯片  MB85RC16V

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