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cypress代理4Mbit鐵電存儲器CY15B104QSN

2021-07-16 09:56:24

cypress Excelon-Ultra CY15B104QSN采用了高級鐵電工藝的高性能4Mbit非易失性存儲器。鐵電隨機存取存儲器(即FRAM)與RAM相同,是執(zhí)行讀和寫操作的易失性存儲器。它提供151年的可靠數據保留時間,并解決了由串行閃存和其他非易失性存儲器造成的復雜性、開銷和系統(tǒng)級可靠性的問題。
 
與串行閃存不同的是,CY15B104QSN以總線速度執(zhí)行寫操作。并且不引起寫操作的延遲。在每個字節(jié)成功傳輸到器件后,數據立即被寫入到存儲器陣列內。這時可以開始執(zhí)行下一個總線周期而不需要輪詢數據。與其他非易失性存儲器相比,該產品提供了更多的擦寫次數。CY15B104QSN能夠提供1014次的讀/寫周期,或支持比EEPROM多1億次的寫周期。由于具有這些特性,因此CY15B104QSN非常適用于需要頻繁或快速寫操作的非易失性存儲器應用。示例的范圍包括從數據收集(其中寫周期數量是非常重要的)到滿足工業(yè)級控制(其中串行Flash的較長寫時間會使數據丟失)。
 
CY15B104QSN將4Mbit FRAM與高速度四線SPI(QPI)SDR和DDR接口相結合,從而增強鐵電存儲器技術的非易失性寫入功能。該器件包含一個只讀的器件ID和唯一ID特性,通過它們,SPI總線主設備可以確定器件的制造商、產品容量、產品版本和唯一ID。該器件包含一個唯一只讀序列號,可用來識別某個電路板或系統(tǒng)。
 
該器件支持片上ECC邏輯,可以在每個8字節(jié)數據單元內檢測和糾正單比特錯誤。該器件還包含在8字節(jié)數據單元中提供雙比特錯誤報告的擴展功能。CY15B104QSN還支持循環(huán)冗余校驗(CRC),可用來校驗存儲器陣列中所存儲數據的完整性。代理商英尚微支持提供產品技術支持。
 
性能
■4Mbit鐵電性隨機存取存儲器(FRAM)的邏輯組織方式為512Kx8
?提供了一百萬億次(1014)的讀/寫周期,幾乎為無限次數的耐久性。
?151年數據保留時間
?NoDelay™寫操作
?高級高可靠性的鐵電工藝
■單線和多線I/O串行外設接口(SPI)
?串行總線接口SPI協議
?支持SPI模式0(0,0)和模式3(1,1),適用于所有SDR模式轉換
?支持SPI模式0(0,0),適用于所有DDR模式轉換
?擴展型I/OSPI協議
?雙線SPI(DPI)協議
?四線SPI(QPI)協議
■SPI時鐘頻率
?最高108MHz頻率SPI的單倍數據速率(SDR)
?最高54MHz頻率SPI的雙倍數據速率(DDR)
■芯片內執(zhí)行(XIP)模式下的存儲器讀/寫操作
■寫入保護,數據安全性,數據完整性
■使用寫保護(WP)引腳提供硬件保護
■軟件模塊保護
■提高數據完整性的糾錯碼(ECC)和循環(huán)冗余校驗(CRC)
?檢測并糾正但比特錯誤的ECC。在發(fā)生雙比特錯誤時,它將不糾正錯誤,但將通過ECC狀態(tài)寄存器進行錯誤報告
?CRC將檢測原始數據的任意意外更改
■擴展的電子簽名
?器件ID包含制造商ID和產品ID
?唯一ID
?用戶可編程序列號。
■專用256字節(jié)特殊扇區(qū)FRAM
?專用特殊扇區(qū)寫和讀操作
?內容可以在最多3個標準回流焊周期內保持不變
■高速度,低功耗
?SPISDR頻率為108MHz時,有效電流為10mA(典型值)
?QSPISDR頻率為108MHz并且QSPIDDR頻率為54MHz時,有效電流為16mA(典型值)
?待機電流為110µA(典型值)
?深度掉電模式電流為0.80µA(典型值)
?休眠模式電流為0.1µA(典型值)
■低電壓操作:
?CY15B104QSN:VDD=1.8V到3.6V
■工作溫度范圍:–40℃到+85℃
■封裝
?8pin小型塑封集成電路(SOIC)封裝
?8pin網格陣列四方扁平無引線(GQFN)封裝
■符合有害物質限制標準(RoHS)
 
CY15B104QSN是一個串行FRAM存儲器。該存儲器陣列被邏輯組織為 524,288 ×8 位。通過使用工業(yè)標準的串行外設接口(SPI)總線可以訪問該存儲器陣列。FRAM 的功能操作與單線SPI EEPROM或單線/雙線/四線SPI閃存的功能操作相同。CY15B104QSN與具有相同引腳分布的串行閃存之間的主要區(qū)別在于FRAM具有更好的寫性能、高的耐久性和較低的功耗。


本文關鍵詞: CY15B104QSN   鐵電存儲器


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