使用非易失性FRAM替換SRAM時(shí)的問(wèn)題和解決方案
2022-01-05 09:20:22
FRAM是一種非易失性存儲(chǔ)器產(chǎn)品,具有讀寫(xiě)耐久性高、寫(xiě)入速度快、功耗低等優(yōu)點(diǎn)。
富士通并行接口的8Mbit FRAM MB85R8M2T。保證寫(xiě)入壽命超過(guò)10萬(wàn)億次,運(yùn)行速度與
SRAM相同,TSOP封裝與SRAM兼容。MB85R8M2TA具有與SRAM兼容的并行接口,可在1.8V至3.6V的寬電源電壓范圍內(nèi)運(yùn)行。
在快速頁(yè)面模式下,F(xiàn)RAM能夠運(yùn)行到25ns,在連續(xù)數(shù)據(jù)傳輸時(shí),其訪(fǎng)問(wèn)速度與SRAM一樣高。與富士通的傳統(tǒng)FRAM產(chǎn)品相比,它不僅實(shí)現(xiàn)了更高的運(yùn)行速度,而且降低了功耗。該FRAM的最大寫(xiě)入電流為18mA,比目前的產(chǎn)品低10%,最大待機(jī)電流為150µA,低50%。
在某些情況下可以省去SRAM所需的數(shù)據(jù)備份電池。
富士通的FRAM產(chǎn)品可以解決因用非易失性存儲(chǔ)器取代SRAM而產(chǎn)生的以下問(wèn)題:
問(wèn)題:更改接口設(shè)計(jì)和PCB設(shè)計(jì)的額外工作
解決方案:使用與SRAM接口和SRAM封裝兼容的FRAM
問(wèn)題:難以用寫(xiě)入速度非常慢的非易失性存儲(chǔ)器替代
解決方案:使用具有快速寫(xiě)入操作的
FRAM,頁(yè)面模式下最大25ns
問(wèn)題:寫(xiě)入壽命高達(dá)10萬(wàn)億次導(dǎo)致設(shè)計(jì)限制
解決方案:使用寫(xiě)入壽命高達(dá)100萬(wàn)億次的FRAM
本文關(guān)鍵詞:FRAM,SRAM,富士通
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