鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器是一種使用鐵電文件作為存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的電容器的存儲(chǔ)器。即使斷電也能保留內(nèi)容。結(jié)合了ROM和RAM的優(yōu)點(diǎn),具有快速寫入速度、低功耗和高讀/寫周期耐久性。也稱為FeRAM。
FRAM鐵電存儲(chǔ)器是一款非易失性存儲(chǔ)器產(chǎn)品,與傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器相比,具有寫入速度快、讀/寫耐久性高、功耗低等優(yōu)點(diǎn)。
近日富士通半導(dǎo)體推出配備Quad SPI接口的8Mbit FRAM MB85RQ8MLX,其密度堪稱Fujitsu SPI接口FRAM產(chǎn)品系列之最。
富士通MB85RQ8MLX是一款容量為8Mbit的非易失性鐵電存儲(chǔ)器,該產(chǎn)品可在1.7V至1.95V的低電源電壓下工作。這種新的Quad SPI接口FRAM通過四個(gè)I/O引腳和108MHz的工作頻率實(shí)現(xiàn)了54MB/s的數(shù)據(jù)讀取/寫入速度。它比運(yùn)行在50MHz的其他SPI接口FRAM產(chǎn)品快8倍以上,后者以6.25MB/s的速度傳輸數(shù)據(jù)。
這款新產(chǎn)品在高達(dá)105℃的高溫環(huán)境中以最高108MHz的工作頻率實(shí)現(xiàn)了每秒54MB的快速數(shù)據(jù)傳輸速率,同時(shí)具有高速運(yùn)行和非易失性,非常適合高性能計(jì)算(HPC)、數(shù)據(jù)中心和工業(yè)計(jì)算,如可編程邏輯控制器(PLC)、人機(jī)界面(HMI)和RAID控制器。
MB85RQ8MLX將工作溫度范圍的上限從一般產(chǎn)品的85℃擴(kuò)展到了105℃,在工業(yè)計(jì)算中,由于高速數(shù)據(jù)處理導(dǎo)致計(jì)算單元中的環(huán)境溫度升高,因此需要保證電子元件在高溫環(huán)境中運(yùn)行。MB85RQ8MLX滿足了工業(yè)使用中的關(guān)鍵要求。
鐵電存儲(chǔ)器FRAMMB85RQ8MLX不需要任何數(shù)據(jù)備份電池,并為使用低功耗
SRAM作為緩沖器的客戶帶來無需電池的計(jì)算成本優(yōu)勢。
富士通半導(dǎo)體存儲(chǔ)器解決方案專注于高品質(zhì)和高可靠性的非易失性存儲(chǔ)器,如鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (FRAM) 和電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (ReRAM)。這是一種高質(zhì)量和高可靠性的非易失性存儲(chǔ)器。即使在電源關(guān)閉時(shí)也能保留存儲(chǔ)的數(shù)據(jù),并且可以隨機(jī)訪問。FRAM具有獨(dú)特的功能,包括更高的寫入速度、更大的讀/寫循環(huán)耐久性和更低的功耗。FRAM用于廣泛的應(yīng)用,例如IC卡、RFID標(biāo)簽.
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