富士通推出ReRAM系列中最大的內(nèi)存密度的12Mbit ReRAM-MB85AS12MT
2022-04-21 09:42:03
富士通半導(dǎo)體存儲(chǔ)器解決方案有限公司推出12Mbit ReRAM(電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)MB85AS12MT,這是富士通ReRAM產(chǎn)品系列中密度最大的產(chǎn)品。
ReRAM電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器是一種非易失性存儲(chǔ)器,其中將脈沖電壓施加到薄金屬氧化物膜上,從而在記錄1和0的電阻上產(chǎn)生巨大的變化。其電極間采用金屬氧化物的簡(jiǎn)單結(jié)構(gòu),制造工藝非常簡(jiǎn)單,同時(shí)仍具有低功耗、寫入速度快等優(yōu)良特性。
MB85AS12MT該新產(chǎn)品是一種非易失性存儲(chǔ)器,具有12Mbit的大存儲(chǔ)密度,封裝尺寸約為2mmx3mm。它在讀取操作期間具有平均0.15mA的極低讀取電流。該產(chǎn)品具有封裝尺寸小、讀取電流小等特點(diǎn),非常適用于助聽器、智能手表等可穿戴設(shè)備。
MB85AS12MT是一款具有12Mbit存儲(chǔ)密度的非易失性存儲(chǔ)器,可在1.6V至3.6V的寬電源電壓范圍內(nèi)工作。新的ReRAM產(chǎn)品的內(nèi)存密度是現(xiàn)有8MbitReRAM的1.5倍,同時(shí)保持相同的封裝尺寸WL-CSP(晶圓級(jí)芯片尺寸封裝)和相同的引腳分配。該產(chǎn)品可以在大約2mmx3mm的小包裝尺寸中存儲(chǔ)大約90頁報(bào)紙的字符數(shù)據(jù)。
MB85AS12MT使用的WL-CSP與經(jīng)常用于具有串行外設(shè)接口(SPI)的存儲(chǔ)設(shè)備的8引腳SOP相比,可以節(jié)省大約80%的安裝表面積。
與其他非易失性存儲(chǔ)器相比,新的ReRAM產(chǎn)品具有極小的讀取電流水平。在5MHz工作頻率下,平均讀取電流小至0.15mA,甚至在10MHz工作時(shí)最大讀取電流為1.0mA。因此,通過將MB85AS12MT安裝在具有頻繁數(shù)據(jù)讀取操作(例如特定程序讀取或設(shè)置數(shù)據(jù)讀?。┑碾姵毓╇娫O(shè)備中,可以最大限度地減少電池消耗。它非常適合用于電池供電的小型可穿戴設(shè)備,例如助聽器和智能手表。
富士通半導(dǎo)體存儲(chǔ)器解決方案在繼續(xù)為需要頻繁數(shù)據(jù)重寫的客戶設(shè)備尋求更大密度的
FRAM產(chǎn)品的同時(shí),一直在開發(fā)新的非易失性存儲(chǔ)器以滿足頻繁讀取數(shù)據(jù)的要求,從而引入了這種新的12Mbit ReRAM產(chǎn)品。富士通半導(dǎo)體內(nèi)存解決方案不斷開發(fā)各種低功耗內(nèi)存產(chǎn)品以滿足客戶的需求。
本文關(guān)鍵詞:富士通,ReRAM,MB85AS12MT
相關(guān)文章:富士通新型Quad SPI接口8Mbit Quad SPI FRAM MB85RQ8MLX
深圳市英尚微電子有限公司是一家專業(yè)的靜態(tài)隨機(jī)記憶體產(chǎn)品及方案提供商,十年來專業(yè)致力代理分銷存儲(chǔ)芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM(DDR1/DDR2/DDR3)等,為客人提供性價(jià)比更高的產(chǎn)品及方案。
英尚微電子中國區(qū)指定的授權(quán)代理:VTI、NETSOL、JSC濟(jì)州半導(dǎo)體(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC; 著名半導(dǎo)體品牌的專業(yè)分銷商 如:RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。
?更多資訊關(guān)注SRAMSUN. www.henhenlu10.com 0755-66658299