在最近幾年，就有許多新技術(shù)被稱為閃存殺手。有些人甚至提出了更高的標(biāo)準(zhǔn)，目標(biāo)不亞于通用內(nèi)存，一種可以進(jìn)入內(nèi)存層次結(jié)構(gòu)的方法，最終取代 DRAM 和 SRAM。這很可能會(huì)發(fā)生，但與此同時(shí)，閃存的統(tǒng)治仍在繼續(xù)，未來(lái)仍不明朗。

MRAM基于磁隧道結(jié)(MTJ)的特性，與FRAM的鐵電材料非常相似，MTJ可以根據(jù)（磁）極化在低電阻和高電阻狀態(tài)之間切換細(xì)胞。MTJ的持續(xù)極化狀態(tài)可以通過(guò)磁場(chǎng)（需要相當(dāng)高的電流）或通過(guò)自旋極化電流（可以低得多）來(lái)改變。前一種技術(shù)稱為T(mén)oggle MRAM，而后者稱為STT-MRAM。
 
在新興NVM市場(chǎng)中的當(dāng)前位置來(lái)看，MRAM很可能正在取代NOR閃存（甚至可能是SLC NAND閃存）。它具有許多FRAM優(yōu)勢(shì)（高寫(xiě)入速度、低能量、高耐用性），沒(méi)有相關(guān)的縮放問(wèn)題（當(dāng)前自旋轉(zhuǎn)移矩(STT)MRAM實(shí)施存在于28nm工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)上，預(yù)計(jì)短期內(nèi)會(huì)進(jìn)一步縮小規(guī)模.
 
早在2016年，Everspin就通過(guò)其Quad SPI切換MRAM存儲(chǔ)器向嵌入式開(kāi)發(fā)人員廣泛使用了MRAM技術(shù)。從那時(shí)起，產(chǎn)品組合不斷發(fā)展，一個(gè)1Gbit 28nm STT-MRAM與DDR接口@1333MT/s更證明該技術(shù)確實(shí)可以擴(kuò)展（速度和密度）并提供可行的閃存的替代品。

本文關(guān)鍵詞：MRAM,Everspin,FRAM

相關(guān)文章：富士通推出ReRAM系列中最大的內(nèi)存密度的12Mbit ReRAM-MB85AS12MT

深圳市英尚微電子有限公司是一家專業(yè)的靜態(tài)隨機(jī)記憶體產(chǎn)品及方案提供商，十年來(lái)專業(yè)致力代理分銷(xiāo)存儲(chǔ)芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性價(jià)比更高的產(chǎn)品及方案。
英尚微電子中國(guó)區(qū)指定的授權(quán)代理：VTI、NETSOL、JSC濟(jì)州半導(dǎo)體(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC； 著名半導(dǎo)體品牌的專業(yè)分銷(xiāo)商  如：RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。