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xSPI MRAM可替代兆易創(chuàng)新SPI Nor Flash方案

2022-06-07 09:35:35

Nor Flash經(jīng)過(guò)十多年的發(fā)展,通道數(shù)越來(lái)越多,數(shù)據(jù)讀取頻率越來(lái)越高,數(shù)據(jù)吞吐量也越來(lái)越大,JEDEC發(fā)布的xSPI電氣接口標(biāo)準(zhǔn)對(duì)總線事務(wù)、命令和大量?jī)?nèi)部功能進(jìn)行了標(biāo)準(zhǔn)化,八通道JEDECxSPI帶DTR數(shù)據(jù)讀取頻率高達(dá)200MHz,數(shù)據(jù)吞吐量高達(dá)400MB/s,堪稱(chēng)戰(zhàn)斗機(jī)級(jí)的數(shù)據(jù)傳輸速率。同時(shí)考慮到客戶(hù)對(duì)其導(dǎo)入時(shí)間與成本有所顧慮,兆易創(chuàng)新將四通道帶DTR接口的數(shù)據(jù)讀取頻率提升到200MHz,數(shù)據(jù)吞吐量也可以高達(dá)200MB/s,相當(dāng)于一輛極速奔馳的F1賽車(chē)了。
 
Everspin MRAM解決方案供應(yīng)商推出了用于工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)和嵌入式系統(tǒng)的xSPI MRAM非易失性存儲(chǔ)器解決方案。可以替代兆易創(chuàng)新的SPI NOR/NAND閃存的方案,其讀寫(xiě)速度可以高達(dá)400MB/s,存儲(chǔ)容量在8Mbit和64Mbit之間。
 
Everspin xSPI MRAM的主要亮點(diǎn)是400MB/s的讀寫(xiě)速度,因?yàn)檫@個(gè)速度是NOR或NAND等閃存設(shè)備的數(shù)倍,在寫(xiě)入方面甚至更高。該產(chǎn)品的其他好處,比如:在編程之前無(wú)需擦除、高效寫(xiě)入(比NAND低10倍,比NOR低200倍),以及可以兼容舊軟件的NOR閃存模式。
 
Everspin此款新xSPI產(chǎn)品系列基于擴(kuò)展的串行外設(shè)接口,這是用于非易失性存儲(chǔ)設(shè)備的最新JEDEC標(biāo)準(zhǔn)。提供高性能、多I/O、SPI兼容性,并具有高速、低引腳數(shù)SPI兼容總線接口,時(shí)鐘頻率高達(dá)200MHz。這些持久性?xún)?nèi)存MRAM設(shè)備在單個(gè)1.8V電源上運(yùn)行,并通過(guò)八個(gè)I/O信號(hào)提供高達(dá)400MBps的讀取和寫(xiě)入速度。更多產(chǎn)品相關(guān)資料咨詢(xún)Everspin代理英尚微電子。

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