易失性存儲(chǔ)器(VM)
2022-11-18 09:24:43
在過去幾十年內(nèi),易失性存儲(chǔ)器沒有特別大的變化,主要分為DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)和SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)。它在任何時(shí)候都可以讀寫,RAM通常是作為操作系統(tǒng)或其他正在運(yùn)行程序的臨時(shí)存儲(chǔ)介質(zhì)(可稱作系統(tǒng)內(nèi)存)。
DRAM
DRAM由許多重復(fù)的位元格組成,每一個(gè)基本單元由一個(gè)電容和一個(gè)晶體管構(gòu)成。電容中存儲(chǔ)電荷量的多寡,用于表示“0”和“1”。而晶體管,則用來控制電容的充放電。
由于電容會(huì)存在漏電現(xiàn)象。所以,必須在數(shù)據(jù)改變或斷電前,進(jìn)行周期性“動(dòng)態(tài)”充電,保持電勢(shì)。否則,就會(huì)丟失數(shù)據(jù)。因此,DRAM才被稱為“動(dòng)態(tài)”隨機(jī)存儲(chǔ)器。
DRAM一直是計(jì)算機(jī)、手機(jī)內(nèi)存的主流方案。計(jì)算機(jī)的內(nèi)存條(DDR)、顯卡的顯存(GDDR)、手機(jī)的運(yùn)行內(nèi)存(LPDDR),都是DRAM的一種。(DDR基本是指DDRSDRAM,雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。)
值得一提的是,顯存這邊,除了GDDR之外,還有一種新型顯存,叫做HBM(HighBandwidthMemory)。它是將很多DDR芯片堆疊后,與GPU封裝在一起構(gòu)成的(外觀上看不到顯存顆粒了)。
SRAM
SRAM大家可能比較陌生。其實(shí),它就是我們CPU緩存所使用的技術(shù)。SRAM的架構(gòu),比DRAM復(fù)雜很多。
SRAM的基本單元,則最少由6管晶體管組成:4個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管(M1,M2,M3,M4)構(gòu)成兩個(gè)交叉耦合的反相器,2個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管(M5,M6)用于讀寫的位線(BitLine)的控制開關(guān),通過這些場(chǎng)效應(yīng)管構(gòu)成一個(gè)鎖存器(觸發(fā)器),并在通電時(shí)鎖住二進(jìn)制數(shù)0和1。因此,SRAM被稱為“靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器”。
SRAM存儲(chǔ)單元
SRAM不需要定期刷新,響應(yīng)速度快,但功耗大、集成度低、價(jià)格昂貴。所以,它主要用于CPU的主緩存以及輔助緩存。此外,還會(huì)用在FPGA內(nèi)。它的市場(chǎng)占比一直都比較低,存在感比較弱。
本文關(guān)鍵詞:SRAM,DRAM
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