近些年來(lái)SIC技術(shù)成熟，SIC MOSFET價(jià)格大幅下降，應(yīng)用領(lǐng)域進(jìn)一步擴(kuò)大。在不久的將來(lái)，它將成為新一代流行的低損耗電力設(shè)備。在具體的工程應(yīng)用、設(shè)計(jì)和開(kāi)發(fā)過(guò)程中，我們經(jīng)常需要檢查SIC MOSFET分析開(kāi)關(guān)特性、靜態(tài)特性和功率損耗，便于有效評(píng)估整個(gè)系統(tǒng)的效率。
 
為何SIC MOSFET短路耐受時(shí)間很?。?br />  
短路耐受時(shí)間(tsc)這是功率半導(dǎo)體器件一個(gè)非常重要的參數(shù)，這就是為什么它現(xiàn)在成為一個(gè)在SiC推廣和應(yīng)用中多次提到的原因。SIC的短路能力相對(duì)于先進(jìn)的Si基IGBT來(lái)講是低的。SIC宣傳這么強(qiáng)的材料特性，為什么短路能力這么不夠？
 
IGBT短路發(fā)生時(shí)，必須在10us或者在更短的時(shí)間內(nèi)關(guān)掉IGBT，其他參數(shù)可以控制相同的短路能耗，如柵極電壓VGE，母線電壓等，但最終都是為了保證IGBT不會(huì)因?yàn)檫^(guò)熱而失效。SIC MOSFET原來(lái)短路能力小，根本原因也是因?yàn)闊幔且驗(yàn)槎搪非昂蟮臏囟确植疾豢茖W(xué)！


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