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?everspin非易失性存儲器中MRAM的潛在用途

2019-12-30 09:39:48

?everspin非易失性存儲器中MRAM的潛在用途
與電子電荷存儲的數(shù)據(jù)可能會因使用情況,時間和溫度而泄漏和擊穿的相反,MRAM(磁性隨機存取存儲器)使用1個晶體管–1個磁性隧道結(MTJ)體系結構作為MTJ的磁態(tài)作為數(shù)據(jù)存儲元素。由于MRAM將數(shù)據(jù)存儲為磁性狀態(tài),因此與現(xiàn)有的非易失性存儲器相比,它具有許多重要的優(yōu)勢。與其他非易失性解決方案相比,MRAM的優(yōu)勢在于:
•像不揮發(fā)一樣閃爍
•無編程/擦除周期(最快的寫入周期)
•快速的SRAM接口
•對稱的讀/寫周期
•字節(jié)尋址能力
•并行(x16)接口的35ns/2Bytes
•帶有串行接口的0.4us/2bytes(使用工作在40MHz的SPI接口)
•無限耐力(無限使用)
•長期保留數(shù)據(jù)(高溫下超過20年)
 
帶有動力總成微控制器演示的MRAM
團隊(以及迄今為止的行業(yè))面臨的挑戰(zhàn)之一是,這些新的內存技術(例如mram(目前已嵌入到某些處理器中))尚未嵌入動力總成芯片中。因此,在此演示中,團隊采用了一種離散的“處理器外”解決方案。在此演示中,團隊設計了MRAM評估板以與Powertrain微控制器母板接口。開發(fā)了新的低級驅動器(LLD),以取代動力總成芯片供應商提供的LLD。在本演示中,新修訂的LLD用于驗證串行/并行MRAM協(xié)議,不同模式下的讀/寫操作以及時序周期要求(通過在具有各種時鐘頻率的原型板上運行應用程序)。

本文關鍵詞:everspin  mram

上一篇文章:汽車工業(yè)中的everspin隨機存取存儲器MRAM


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