SRAM行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)
2020-02-04 10:31:07
隨著處理器日趨強(qiáng)大,尺寸越發(fā)小型。更加強(qiáng)大的處理器需要緩存進(jìn)行相應(yīng)的改進(jìn)。與此同時(shí)每一個(gè)新的工藝節(jié)點(diǎn)讓增加嵌入式緩存變得艱巨起來(lái)。
SRAM擁有一個(gè)6晶體管架構(gòu)(邏輯區(qū)通常包含4個(gè)晶體管/單元)。這便意味著隨著工藝節(jié)點(diǎn)不斷縮小,每平方厘米上的晶體管的數(shù)量將會(huì)非常多。這種極高的晶體管密度會(huì)造成很多問(wèn)題,其中包括:
圖:SER:軟錯(cuò)誤率;Processnode:工藝節(jié)點(diǎn)soft:軟錯(cuò)誤
更易出現(xiàn)軟錯(cuò)誤:工藝節(jié)點(diǎn)從130nm縮小到22nm后,軟錯(cuò)誤率預(yù)計(jì)將增加7倍。
更低的成品率:由于位單元隨著晶體管密度的增加而縮小,SRAM區(qū)域更容易因工藝變化出現(xiàn)缺陷。這些缺陷將降低處理器芯片的總成品率。
更高的功耗:如果SRAM的位單元必需與邏輯位單元的大小相同,那么SRAM的晶體管就必須小于邏輯晶體管。較小的晶體管會(huì)導(dǎo)致泄露電流升高,從而增加待機(jī)功耗。
另一個(gè)技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)是可穿戴電子產(chǎn)品的出現(xiàn)。對(duì)于智能手表、健身手環(huán)等可穿戴設(shè)備而言,尺寸和功耗是關(guān)鍵因素。由于電路板的空間有限,
MCU必須做得很小,而且必須能夠使用便攜式電池提供的微小電量運(yùn)行。
片上緩存難以滿足上述要求。未來(lái)的可穿戴設(shè)備將會(huì)擁有更多功能。因此片上緩存將無(wú)法滿足要求,對(duì)外置緩存的需求將會(huì)升高。在所有存儲(chǔ)器選項(xiàng)中,SRAM最適合被用作外置緩存,因?yàn)樗鼈兊拇龣C(jī)電流小于DRAM,存取速度高于DRAM和閃存。我司英尚微電子提供不同容量的SRAM芯片,并代理VTI產(chǎn)品
VTI部分SRAM芯片型號(hào)如下:
Density |
Organization |
Part NO. |
Vcc(V) |
Speed(MHz) |
Bus Modes |
Temp. |
Package |
Packing |
Status |
64Mbit |
8M x 8 |
VTI7064LSM |
1.8 |
104 |
SQI |
C,I |
8-SOIC |
Tube,T&R |
MP |
64Mbit |
8M x 8 |
VTI7064LSM |
1.8 |
20 |
SPI |
C,I |
8-SOIC |
Tube,T&R |
MP |
64Mbit |
8M x 8 |
VTI7064MSM |
3.0 |
104 |
SQI |
C,I |
8-SOIC |
Tube,T&R |
MP |
64Mbit |
8M x 8 |
VTI7064MSM |
3.0 |
20 |
SPI |
C,I |
8-SOIC |
Tube,T&R |
MP |
本文關(guān)鍵詞: SRAM
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