everspin最新1Gb容量擴(kuò)大MRAM吸引力
2020-02-18 09:11:04
everspin提供了8/16-bit的DDR4-1333MT/s(667MHz)接口,但與較舊的基于DDR3的MRAM組件一樣,時(shí)序上的差異使得其難以成為DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取器)的直接替代品。
最新的1Gb容量STT-MRAM擴(kuò)大了MRAM的吸引力,但Everspin仍需努力追趕DRAM的存儲(chǔ)密度。
低容量的特性,使得MRAM組件更適用于嵌入式系統(tǒng),其中SoC和ASIC可更容易地設(shè)計(jì)兼容的DDR控制器。
目前行業(yè)內(nèi)已通過(guò)MRAM來(lái)部分替代DRAM,比如IBM就在去年推出了Flash Core模塊,以及希捷在FMS2017上展示的原型。
當(dāng)然我們并不指望
mram專用存儲(chǔ)設(shè)備可以迅速在市面上普及(SSD或NVDIMM)。畢竟市面上的混合型SSD,仍依賴于NAND閃存作為主要存儲(chǔ)介質(zhì)。
作為與格羅方德合作生產(chǎn)的第二款分立型MRAM器件,他們還在GloFo的22nmFD-SOI工藝路線圖中嵌入了MRAM。
鑒于該工廠取消了7nm和更低制程的計(jì)劃,包括嵌入式內(nèi)存在內(nèi)的特殊工藝對(duì)其未來(lái)顯然至關(guān)重要。
需要指出的是,盡管Everspin不是唯一一家致力于MRAM技術(shù)的公司,但它們卻是分立式MRAM器件的唯一供應(yīng)商。Everspin在磁存儲(chǔ)器設(shè)計(jì),制造和交付到相關(guān)應(yīng)用中的知識(shí)和經(jīng)驗(yàn)在半導(dǎo)體行業(yè)中是獨(dú)一無(wú)二的。Everspin擁有超過(guò)600項(xiàng)有效專利和申請(qǐng)的知識(shí)產(chǎn)權(quán)產(chǎn)品組合,在平面內(nèi)和垂直磁隧道結(jié)(MTJ)STT-MRAM位單元的開(kāi)發(fā)方面處于市場(chǎng)領(lǐng)先地位。
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