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Everspin MR2A16Axxx35可替換賽普拉斯CY14B104NA-BA

2020-04-09 09:34:29

 
用Everspin的MR2A16Axxx35 MRAM替換賽普拉斯CY14B104NA-BA/ZS45XI nvSRAM
 
用MRAM替換nvSRAM的一般注意事項(xiàng)
每次使用MRAM進(jìn)行寫操作都會立即保持至少20年的非易失性。沒有數(shù)據(jù)從易失性存儲單元傳輸?shù)椒且资源鎯卧矝]有外部電容器或備用電池。消除了外部組件,高度可靠的數(shù)據(jù)保留以及35ns SRAM兼容的讀/寫訪問時間,使Everspin MRAM成為替代Cypress CY14B104NA-BA / ZS45XI nvSRAM的可行選擇,而不會影響系統(tǒng)性能。
 
EVERSPIN內(nèi)存
Everspin是商業(yè)上可行的MRAM技術(shù)的全球領(lǐng)導(dǎo)者,Everspin MRAM產(chǎn)品出現(xiàn)在數(shù)百個需要高速,可靠,非易失性存儲器的應(yīng)用中。
 
MR2A16A與CY14B104NA的比較
Everspin MRAM解決方案提供:
•始終非易失。沒有不可靠的電容器相關(guān)備用周期
•不需要Vcap或Vbatt
•立即斷電(<1ns),無數(shù)據(jù)丟失
•沒有復(fù)雜的軟件存儲/調(diào)用例程
•快速啟動時間(2ms和20ms)
•無限的讀寫周期-無磨損問題
•20年數(shù)據(jù)保留,無循環(huán)依賴
•更少的組件意味著更小的設(shè)計(jì)尺寸和更低的BOM成本
•直接替代賽普拉斯NV-SRAM
 
兼容性
Everspin MR2A16AxYS35(44-TSOP2)和MR2A16AxMA35(FBGA)存儲器的引腳,時序和封裝分別與CYPRESS CY14B104NA-ZS和CY14B104NABA nvSRAM兼容。
 
時序兼容性
Everspin MRAM和nvSRAM都具有標(biāo)準(zhǔn)的兼容異步SRAM時序。但是MRAM即使在斷電后無限制的時間和整個溫度循環(huán)中也可以保留數(shù)據(jù)。 MRAM具有35 ns的讀/寫周期時間,與類似的nvSRAM速度等級選項(xiàng)兼容。
 
請務(wù)必注意,Everspin MR2A16Axxx器件至少需要12ns的保持時間,從寫使能(和芯片使能)高到地址無效。大多數(shù)微處理器可以容納這個保持時間。


Everspin MR2A16Axxx35x系列型號表格
Density Org. Part Number Pkg. Voltage Temp MOQ(pcs)/ T&R
4Mb 256Kx16 MR2A16AYS35 44-TSOP 3.3V Commercial 1,500
4Mb 256Kx16 MR2A16ACYS35 44-TSOP 3.3V Industrial 1,500
4Mb 256Kx16 MR2A16AVYS35 44-TSOP2 3.3V Extended 1,500
4Mb 256Kx16 MR2A16AMYS35 44-TSOP2 3.3V AEC-Q100 Grade 1 1,500
4Mb 256Kx16 MR2A16AMA35 48-BGA 3.3V Commercial 2,000
4Mb 256Kx16 MR2A16ACMA35 48-BGA 3.3V Industrial 2,000
4Mb 256Kx16 MR2A16AVMA35 48-BGA 3.3V Extended 2,000


本文關(guān)鍵詞: MRAM

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