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ISSI代理超低功耗SRAM IS62WV102416DBLL

2020-05-25 10:06:45

美國ISSI主要產(chǎn)品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。主要為汽車,通信,數(shù)字消費者以及工業(yè)和醫(yī)療等市場提供存儲器產(chǎn)品。IS62WV102416DBLL是超低功耗CMOS 16Mbit靜態(tài)RAM,組織為1M字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技術(shù)制造的。這種高度可靠的工藝加上創(chuàng)新的電路設(shè)計技術(shù),可生產(chǎn)出高性能和低功耗的設(shè)備。 IS62WV102416DALL/DBLL和IS65WV102416DALL / DBLL封裝在48引腳TSOP(I型)中。
 
功能說明
SRAM是隨機存取存儲器之一。每個字節(jié)或字都有一個地址,可以隨機訪問。 SRAM支持三種不同的模式。。
 
待機模式
取消選擇時,設(shè)備進(jìn)入待機模式(HIGH或CS2 LOW或兩者都為HIGH)。輸入和輸出引腳(I / O0-15)處于高阻抗?fàn)顟B(tài)。根據(jù)輸入電平,此模式下的電流消耗為ISB1或ISB2。此模式下的CMOS輸入將最大程度地節(jié)省功率。
 
寫模式
選擇芯片時(LOW和CS2 HIGH),寫使能()輸入LOW時的寫操作問題。輸入和輸出引腳(I / O0-15)處于數(shù)據(jù)輸入模式。即使為LOW,在此期間輸出緩沖區(qū)也會關(guān)閉。并啟用字節(jié)寫入功能。通過啟用LOW,來自I / O引腳(I / O0至I / O7)的數(shù)據(jù)被寫入該位置。
在地址引腳上指定。處于低電平時,來自I / O引腳(I / O8至I / O15)的數(shù)據(jù)被寫入該位置。
 
讀取模式
選擇芯片時(LOW和CS2為HIGH),寫使能()輸入為HIGH時,讀操作出現(xiàn)問題。當(dāng)為低電平時,輸出緩沖器打開以進(jìn)行數(shù)據(jù)輸出。不允許在讀取模式下對I / O引腳進(jìn)行任何輸入。并啟用字節(jié)讀取功能。通過啟用LOW,來自存儲器的數(shù)據(jù)出現(xiàn)在I / O0-7上。處于低電平時,來自內(nèi)存的數(shù)據(jù)將出現(xiàn)在I / O8-15上。
 
在讀取模式下,可以通過拉高來關(guān)閉輸出緩沖器。在此模式下,內(nèi)部設(shè)備作為READ操作,但I(xiàn) / O處于高阻抗?fàn)顟B(tài)。由于器件處于讀取模式,因此使用有功電流。
 
工作溫度范圍
商用工作溫度為0°C至+ 70°C ,電壓為2.2V 3.3V 3.6V
工業(yè)工作溫度為-40°C至+ 85°C ,電壓為2.2V 3.3V 3.6V
汽車類工作溫度為 -40°C至+ 125°C,電壓為2.2V 3.3V 3.6V

ISSI 低功耗SRAM

Density Org. Part Number Vcc. Speed(ns) Pkg(Pins) 產(chǎn)品類型
16Mb 1Mx16 IS62WV102416ALL/BLL 1.65-3.6V 25,35 TSOP1(48),BGA(48) 16Mb LP SRAM芯片
8Mb 1Mx8 IS62WV10248DALL/BLL 1.65-3.6V 35,45,55 sTSOP1(32),TSOP12(32),BGA(36),SOP(32) 8Mb LP SRAM芯片
16Mb 1Mx16 IS62WV102416EALL/BLL 1.65-3.6V 35,45,55 BGA(48) 16Mb LP SRAM芯片
16Mb 1Mx16/2Mx8 IS62WV102416DALL/BLL 1.65-3.6V 35,45,55 TSOP1(48) 16Mb LP SRAM芯片
8Mb 1Mx8 IS62WV10248EBLL 1.65-3.6V 35,45,55 sTSOP1(32),TSOP12(32),BGA(36),SOP(32) 8Mb LP SRAM芯片



本文關(guān)鍵詞:SRAM   低功耗SRAM   IS62WV1024


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