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FRAM技術(shù)的優(yōu)勢擴(kuò)展到微控制器

2020-07-01 09:56:26

FRAM器件提供非易失性存儲,用10年的數(shù)據(jù)保存時(shí)間,在與熟悉的閃存和EEPROM替代所需的功率的一小部分。利用現(xiàn)有的基于FRAM存儲器和MCU器件,工程師們可以放心地在他們盡管間歇性的斷電操作多年,并長期保持?jǐn)?shù)據(jù)的能力建立這些強(qiáng)大的設(shè)備進(jìn)入低功耗能量收集應(yīng)用程序。接下來富士通FRAM代理商介紹關(guān)于設(shè)備配置。
 
設(shè)備配置
設(shè)計(jì)人員可以找到FRAM存儲器支持并行,SPI串行或I2C / 2線串行接口。例如,連同其平行的1Mb MB85R1001A FRAM,富士通提供1MB的SPI串行器,MB85RS1MT,使設(shè)計(jì)人員能夠采用典型的SPI主/從配置(圖1)設(shè)備的任意數(shù)字。除了在較低的電源電壓比他們的同行并行操作,串行FRAM器件還提供了適用于空間受限的設(shè)計(jì)更小的封裝選項(xiàng)。例如,ROHM半導(dǎo)體32K SPI串行MR45V032A是在8引腳塑料小外形封裝(SOP)只有0.154測量“和3.90毫米寬度可用。
 
 
富士通MB85RS1MT的圖像
 
圖1:設(shè)備,如富士通MB85RS1MT允許使用熟悉的主/從配置為SPI-配備的MCU - 或使用使用設(shè)備的SI和SO端口,用于非基于SPI的設(shè)計(jì),簡單的總線連接解決方案。 (富士通半導(dǎo)體提供)
 
FRAM技術(shù)的優(yōu)勢擴(kuò)展到微控制器,如德州儀器MSP430FR MCU系列具有片上FRAM。在微控制器,F(xiàn)RAM的高速運(yùn)行速度整體處理,允許寫入非易失性存儲器進(jìn)行全速而不是強(qiáng)迫MCU進(jìn)入等待狀態(tài)或阻塞中斷。 TI的FRAM微控制器系列的延伸,如MSP430FR5739其全功能MSP430FR5969系列設(shè)備。最小的設(shè)備在MSP430系列中,MSP430FR5739是一個(gè)24引腳2×2芯片尺寸的球柵陣列(DSBGA)可用,但包括5個(gè)定時(shí)器,一個(gè)12通道10位ADC,以及直接存儲器存?。―MA)用于最小化在主動模式下的時(shí)間。
 
TI的MSP430FR5969是該公司低功耗MCU具有實(shí)質(zhì)性芯片F(xiàn)RAM存儲(圖2)。在主動模式下,MCU僅需要為100μA/ MHz有源模式電流和450 nA的待機(jī)模電流與實(shí)時(shí)時(shí)鐘(RTC)啟用。在這一系列的設(shè)備包括一個(gè)全面的外設(shè)和一個(gè)16通道12位模擬 - 數(shù)字轉(zhuǎn)換器(ADC),其能夠單層或差分輸入操作。這些MCU還配備了256位高級加密標(biāo)準(zhǔn)(AES)加速器和知識產(chǎn)權(quán)(IP)封裝模塊,用于保護(hù)關(guān)鍵數(shù)據(jù)。
 

德州儀器MSP430FR5969 MCU的圖像
 
圖2:德州儀器MSP430FR5969 MCU結(jié)合周邊的全套帶有片上FRAM存儲器,而只需要100μA/ MHz有源模式電流和顯著少帶了多個(gè)低功耗模式(LPM)。 (德州儀器提供)
 

本文關(guān)鍵詞:FRAM   富士通FRAM


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