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STT-RAM取代DRAM內(nèi)存

2020-08-07 09:42:32

自旋轉(zhuǎn)移扭矩隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(STT-RAM)技術(shù)希望用其下一代MRAM取代DRAM,最終取代NAND。它結(jié)合了DRAM的成本優(yōu)勢(shì),SRAM的快速讀寫(xiě)性能以及閃存的非易失性。據(jù)說(shuō)STT-RAM還解決了第一代現(xiàn)場(chǎng)交換MRAM的主要缺點(diǎn)。

STT-RAM作為通用的可擴(kuò)展存儲(chǔ)器具有巨大的潛在市場(chǎng)。它可以取代嵌入式SRAM和45nm的閃存,32nm的DRAM,并最終取代NAND。STT-RAM是一項(xiàng)很有前途的技術(shù),從經(jīng)濟(jì)角度考慮,STT-RAM將取代DRAM還是NAND。

多年來(lái),F(xiàn)eRAM,MRAM,相變,RRAM和其他技術(shù)的開(kāi)發(fā)人員分別聲稱,它們將成為最終的通用存儲(chǔ)器,并取代當(dāng)今的存儲(chǔ)器。但是許多下一代存儲(chǔ)器類型推向市場(chǎng)的時(shí)間很晚,還沒(méi)有達(dá)到高潮。并且今天的存儲(chǔ)器繼續(xù)擴(kuò)展,從而消除了對(duì)下一代存儲(chǔ)器類型的需求。

任何這些新技術(shù)(例如–FRAM,MRAM和PCM)都有很多機(jī)會(huì)來(lái)替代現(xiàn)有技術(shù)。他們所要做的就是降低成本,使其低于已建立的內(nèi)存。聽(tīng)起來(lái)很簡(jiǎn)單,但實(shí)際上卻非常困難,這一挑戰(zhàn)使這些技術(shù)中的任何一種都無(wú)法達(dá)到臨界質(zhì)量。

MRAM是一種利用電子自旋的磁性來(lái)提供非易失性的存儲(chǔ)器。該技術(shù)具有無(wú)限的耐用性。STT-RAM是第二代磁性RAM技術(shù),可以解決常規(guī)MRAM結(jié)構(gòu)帶來(lái)的一些問(wèn)題。現(xiàn)在正在開(kāi)發(fā)的大多數(shù)MRAM都是通過(guò)施加由流過(guò)隧道磁阻(TMR)元件附近的導(dǎo)線的電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)來(lái)改變磁化強(qiáng)度來(lái)寫(xiě)入數(shù)據(jù)的。這可以實(shí)現(xiàn)快速操作。

飛思卡爾半導(dǎo)體公司的子公司Everspin將其16 Mbit MRAM定位為SRAM替換,數(shù)據(jù)保留和相關(guān)市場(chǎng)。在工業(yè)及相關(guān)的嵌入式應(yīng)用中,Everspin希望取代電池供電的SRAM或相關(guān)的分立解決方案,此舉威脅著賽普拉斯,ISSI,Maxim,意法半導(dǎo)體,TI等公司。

STT方法使用自旋極化電流來(lái)切換磁性位,這項(xiàng)技術(shù)消耗更少的功率并增強(qiáng)了可伸縮性。STT-RAM通過(guò)對(duì)齊流經(jīng)TMR元件的電子的自旋方向來(lái)寫(xiě)入數(shù)據(jù)。


本文關(guān)鍵詞: MRAM   STT-RAM

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