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SRAM將會消失?

2017-08-07 15:11:05

經過幾十年的發(fā)展和進步,電子產業(yè)差不多形成了一個線性系統(tǒng),并被摩爾定律(Moore's Law)所支配。然而隨著摩爾定律漸漸地出現松動的情況,許多新技術逐漸開始浮上臺面。這些技術并不是單純的技術改進,而是全面的變革。電子產業(yè)可借機利用這些新技術轉型成為非線性系統(tǒng),推翻多年來電子產業(yè)所設立的宗旨。
       
Semiconductor Engineering網站報導指出,存儲器技術近年的高速發(fā)展,可能會因此改變存儲器與處理技術在早在1940年代便已確立的關系。連續(xù)存儲器配置的效率盡管在這些年里不斷受到挑戰(zhàn)和質疑,但系統(tǒng)的惰性使得這種配置得以維持不變幾十年。
     
即使在對稱多處理系統(tǒng)中,存儲器的配置大部分還是連續(xù)空間,資料從存儲器到達處理器的途中,時常會卡在資料匯流排的位置,這是因為存儲器與處理元件距離相距太遠。實際上,目前架構中處理與存儲器的速度與功率分布差距越來越大,并影響了芯片外的資料傳輸速度。
     
于是Rambus利用DDR介面的類比結構將存儲器與邏輯連結,加速資訊傳送并將消息轉換回邏輯,不過這必須建立在存儲器與邏輯為兩個獨立單位的前提下。只要將存儲器放在邏輯之上,就能用幾百萬條線路連接存儲器與邏輯,改變整個原有的架構。
       
垂直化的芯片結構越來越受到矚目。傳統(tǒng)芯片間中介層(inter-chip interposer)、打線的堆疊,以及矽穿孔(Through Silicon Via;TSV)連接,已逐漸成為主流。各種MEMS、RF、存儲器、邏輯等技術,也能用更具成本效益的方式整合。
         
但是3D存儲器不僅僅是芯片堆疊。3D存儲器架構還能一起處理多層資料。三星電子(Samsung Electronics)與東芝(Toshiba)便一路快速地從24層存儲器發(fā)展到48層。然而這并不能說明矽穿孔完全失去了價值。矽穿孔仍能有效減少I/O功率,提供更高的存儲器密度。
       
3D堆疊架構難免會產生功率與熱能的疑慮,還好存儲器并沒有太高的功率需求,只有在讀寫時才會消耗電力。
SRAM與DRAM好久前便終止了微縮的發(fā)展,ReRAM、自旋(spin torque)、相變(phase change、交叉點(cross point)等新的存儲器技術紛繁呈現。這些新技術的共同點,便是材料科學與物理學上的突破。
       
但是存儲器與處理器間的溝通延遲的難題,已困擾電子產業(yè)30多年,并非上述新技術能夠徹底解決,最多只縮短中間的差距。
       
此外,存儲器技術與電晶體脫勾后,便可成為后段制程(BEOL)存儲器,編碼與感應放大器都可置于存儲器陣列下,與SRAM相比能省下不少空間。未來的系統(tǒng)單芯片(SoC),可能不再需要使用SRAM。     

本文關鍵詞:SRAM  DRAM   存儲器          相關文章:可替代閃存的存儲新技術(二)

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