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三款大容量、高速非易失性SRAM的對比

2017-08-10 14:49:26

在嵌入式系統(tǒng)中,用的最多的非易失性(Non-Volatile)存儲器是EEPROM和FLASH,主要用于保存程序或數(shù)據(jù),但這兩種存儲器有一個共同的缺點是寫入速度慢,且寫入算法比較復(fù)雜,無法滿足實時處理系統(tǒng)中高速寫入的要求,例如,在一個實時紅外圖像處理系統(tǒng)中,每個像素的校正參數(shù)有時需要實時修改,斷電后不可以丟失,就必須使用高速、大容量的非易失性SRAM來保存。非易失性SRAM的特點是:讀寫操作簡單(與普通SRAM一樣)、速度快(ns級)、掉電數(shù)據(jù)不丟失。

目前,比較常用的大容量高速非易失性SRAM有如下幾種:
 
1、NVSRAM,是一種雙體結(jié)構(gòu)的非易失性SRAM,這種存儲器內(nèi)部包含兩個存儲體:一個是供用戶讀寫的普通SRAM,另一個是與SRAM容量相同、供數(shù)據(jù)備份用的EEPROM(或Quantum Trap)。正常工作狀態(tài)下,微處理器訪問NVSRAM時,所操作的是SRAM,只有在電源斷電時,芯片自動把SRAM中的內(nèi)容快備份到EEPROM(或Quantum Trap)中,使內(nèi)容不會丟失;在下次電源加電時,它又把EEPROM中保留的備份內(nèi)容自動恢復(fù)到SRAM中。大容量NVSRAM比較典型的有Cypress的CY14B104(512Kx8/256Kx16)、CY14B108(1Mx8/512Kx16),讀寫周期高達20ns。這種芯片有一個小小缺陷是必須外接一只大容量的電容,用于掉電備份數(shù)據(jù)時緩沖電源供電。此外,在國內(nèi)市場不易買的。
 
2、FRAM,即“鐵電存儲器”。其核心技術(shù)是鐵電晶體材料。這一特殊材料使得鐵電存儲器同時擁有RAM和ROM的特性。晶陣中的每個自由浮動的原子只有兩個穩(wěn)定狀態(tài),一個用來記憶邏輯“0”,另一個用來記憶邏輯“1”。數(shù)據(jù)狀態(tài)可保持100年以上。FRAM產(chǎn)品具備一系列超級特性。比如,高速隨機讀寫(存取時間只有55ns)、

超低功耗(只有EEPROM的1/2500)和幾乎無限次的讀寫周期(可達10的14方次)。RAMTRON公司是FRAM的發(fā)明和生產(chǎn)者,目前面市的大容量型號有;FM21L16(256Kx8/128Kx16)、FM22L16(512Kx8/256Kx16)。與NVSRAM不同,F(xiàn)RAM的數(shù)據(jù)寫入與備份是同步進行的,因此也不存在恢復(fù)操作。
 
3、MRAM,即“磁阻RAM”,是Freescale公司的專利產(chǎn)品,采用磁隧道結(jié)(MTJ)結(jié)構(gòu)來進行數(shù)據(jù)存儲。MRAM利用磁性材料和傳統(tǒng)的硅電路在單個器件中提供了SRAM的高速度和閃存的非易失性,它的壽命幾乎是沒有限制的 。MRAM器件可以用于高速緩沖器、配置內(nèi)存和其他要求高速、耐用和非易失性的商業(yè)應(yīng)用。目前的產(chǎn)品型號有:MR0A16~MR2A16,容量為:128Kx8/64Kx16~512Kx8/256Kx16,讀寫周期為35 ns。
 
值得注意的是,由于都采用RAM結(jié)構(gòu),F(xiàn)RAM和MRAM引腳完全兼容,NVRAM除有外接電容引腳和地址線編號不太一樣外(如果處理器通過FPGA與其相連則可重定義),基本兼容。 

本文關(guān)鍵詞:高速非易失性SRAM   MRAM    FRAM     低功耗

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