Everspin宣布將推出ST-MARAM
2017-08-15 16:28:05
據(jù)外媒報(bào)道，磁性隨機(jī)存取內(nèi)存(MRAM)將在今年內(nèi)到達(dá)一個(gè)全新的高度。Everspin近期宣布開始嘗試制造1Gb (128MB)的ST-MRAM芯片，除此之外他們已經(jīng)將這款高壽命、非易失性的內(nèi)存芯片生產(chǎn)提上議程。Everspin的ST-MRAM能夠供給耐久的記憶能力，與普通的NAND閃存技術(shù)相比，ST-MRAM能夠減少寫入放大倍數(shù)并具有更好的耐用性。
這款新芯片采用的則是一個(gè)兼容DDR4的接口。這家公司表示，供應(yīng)商可以利用持久的記憶技術(shù)設(shè)計(jì)企業(yè)級(jí)SSD或?qū)ΜF(xiàn)有的儲(chǔ)存產(chǎn)品展開進(jìn)一步的改善。
據(jù)了解，ST-MARAM的密度要比Everspin旗下現(xiàn)有的任何256MB(32MB)芯片大得多。Everspin指出，從Global Foundries的40nm工藝到foundry 28nm工藝的轉(zhuǎn)變是開發(fā)這種千兆級(jí)芯片的關(guān)鍵，另外它還說明了公司垂直磁性隧道結(jié)(pMTJ)的可擴(kuò)展性。
首批配備Everspin全新千兆MRAM芯片的產(chǎn)品之一將來自Smart Modular公司。該公司計(jì)劃發(fā)布一款NVMe PCIe硬盤，它的重量和長度都將減半，其將用于元數(shù)據(jù)緩存和儲(chǔ)存加速應(yīng)用。Smart Modular表示，該產(chǎn)品單元在4K隨機(jī)讀寫測(cè)試中能夠達(dá)到1500K IOPS。
本文關(guān)鍵詞：ST-MARAM
MRAM
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