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STT-MRAM存儲(chǔ)技術(shù)詳解

2017-08-17 11:57:57

存儲(chǔ)器是現(xiàn)在每一個(gè)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)、存儲(chǔ)方案和移動(dòng)設(shè)備都使用的關(guān)鍵部件之一。存儲(chǔ)器的性能、可靠性、可擴(kuò)展性和成本是決定推向市場(chǎng)的每個(gè)系統(tǒng)產(chǎn)品經(jīng)濟(jì)上成功或失敗的主要標(biāo)準(zhǔn)。

目前,市場(chǎng)上的幾乎所有產(chǎn)品都使用一種或組合使用若干種基于電荷存儲(chǔ)的易失性存儲(chǔ)器DRAM和SRAM,以及非易失性存儲(chǔ)器NOR和NAND閃存。這些存儲(chǔ)器具有明顯的優(yōu)勢(shì),以至于在過(guò)去30年間一直都占居市場(chǎng)主導(dǎo)地位。但因?yàn)橄到y(tǒng)永遠(yuǎn)都在追求更快、更小、更可靠、更便宜的存儲(chǔ)器,在未來(lái)五到十年間會(huì)產(chǎn)生激烈競(jìng)爭(zhēng),所以上述存儲(chǔ)器的不足之處,也給其未來(lái)的發(fā)展增添了阻礙。

目前有新的突破性技術(shù)以挑戰(zhàn)者姿態(tài)進(jìn)入市場(chǎng),特別是諸如電阻式RAM(RRAM)和相變RAM(PCRAM)等非易失性存儲(chǔ)器(NVM),它們能夠提供低功耗、高性能、以及無(wú)限的使用壽命。磁RAM(MRAM)也是這些新興技術(shù)之一。值得一提的是,MRAM并不是剛剛面市的,早在25年以前,就已經(jīng)首次亮相。目前MRAM可用于各種不同的特殊應(yīng)用。
然而自旋轉(zhuǎn)移力矩(STT)MRAM非常適合許多主流應(yīng)用,特別是作為存儲(chǔ)技術(shù),因?yàn)镾TT-MRAM既擁有DRAM和SRAM的高性能,又具有閃存的低功耗和低成本,且其可采用10nm工藝制造;另外,還可沿用現(xiàn)有的CMOS制造技術(shù)和工藝。因它是非易失性的,所以當(dāng)電源掉電或徹底關(guān)閉時(shí),STT-MRAM將能無(wú)限期地保存數(shù)據(jù)。

不同于萬(wàn)眾矚目的新秀RRAM,MRAM作為存儲(chǔ)器件的基本物理原理已廣為人知。

就MRAM來(lái)說(shuō),其存儲(chǔ)單元由一個(gè)磁隧道結(jié)(MTJ)構(gòu)成,多年來(lái)。MTJ一直被廣泛用作硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器的讀出頭。早期的MRAM器件利用平面內(nèi)MTJ(iMTJ),其中磁矩(具有幅度和方向的向量)平行于襯底的硅表面(圖1)。
 
                                      
                                                                                        圖1:內(nèi)嵌式MTJ框圖。

現(xiàn)在有了另一種、更優(yōu)化的MTJ版本——垂直MTJ(pMTJ),其磁矩垂直于硅襯底表面(圖2)。
 
                                                         
                                                                                       圖2:垂直MTJ圖。

雖然基于iMTJ的STT-MRAM用90nm以下工藝節(jié)點(diǎn)實(shí)現(xiàn)還不甚成熟,且在200mm晶圓也無(wú)成本競(jìng)爭(zhēng)力,但基于pMTJ的STT-MRAM在可制造性方面表現(xiàn)出極大優(yōu)勢(shì),可延伸至10nm以下工藝實(shí)現(xiàn)。在成本方面,它有望與諸如DRAM等其它存儲(chǔ)器技術(shù)一較高下。在未來(lái)幾年,由于STT-MRAM的這種可擴(kuò)展性,它將在低和中密度應(yīng)用中替代DRAM和閃存。

本文 關(guān)鍵詞:STT-MRAM  DRAM   SRAM

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