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各種異步型SRAM的對比

2017-08-22 16:18:07

第二大類SRAM為異步型SRAM。那些不具備時鐘輸入的SRAM便是異步型的。在這些器件中,讀操作和寫操作將在器件接收到指令之后立即被啟動。 采用異步型SRAM最大的優(yōu)點之一是它們擁有長達(dá)幾十年的使用歷史并已為人們所充分了解。由于異步型SRAM已經(jīng)面市很久了,因此許多標(biāo)準(zhǔn)處理器都包含了業(yè)已配備異步型SRAM接口的存儲控制器,從而最大限度地減少了所需的設(shè)計工作量。

異步型SRAM的典型存取時間為8ns(或更長)。因此,它們一般應(yīng)用于時鐘頻率為100MHz(或更低)的系統(tǒng)中。異步型SRAM可被進(jìn)一步劃分為兩種主要類別:即快速異步型SRAM和低功耗異步型 SRAM(MoBLTM)。 

1:快速異步型SRAM 存取時間為35ns(或更短)的異步型SRAM可被歸類為“快速”異步型SRAM。這些存儲器通常應(yīng)用于老式系統(tǒng)中,且功耗較高(1/2W或更高是司空見慣的)。其典型應(yīng)用包括老式PC L2高速緩沖存儲器、高速暫存器以及工業(yè)應(yīng)用中的緩沖存儲器。 

2:MoBLTM低功耗異步型SRAM 有些應(yīng)用(例如移動電話)對功耗的關(guān)注程度要超過對性能的關(guān)注程度。因此,制造商(比如賽普拉斯公司)推出了功耗極低的SRAM系列。賽普拉斯的 MoBL(意指“更長的電池使用壽命”)低功耗異步型SRAM產(chǎn)品庫匯集了多款典型存取時間約為40ns(或更長)并專為實現(xiàn)低功耗而優(yōu)化的器件。典型待機功耗可低至10μW(或更低),而運行功耗則可低至30mW(或更低)。

這些器件的存儲密度各異,從64Kb到16Mb一應(yīng)俱全。 偽SRAM(亦即PSRAM) 如果需要16Mb以上的存儲密度,則PSRAM(或稱偽PSRAM)是一種可行的解決方案。

所謂偽SRAM是指一種具有一個DRAM存儲器內(nèi)核和一個“SRAM型”接口的存儲器件。由于PSRAM使用了一個DRAM內(nèi)核,因而也需要進(jìn)行周期性的刷新,以便保存數(shù)據(jù)。但不同的是,標(biāo)準(zhǔn)DRAM的刷新控制是在器件外部進(jìn)行的,而PSRAM則具有一個“隱式”刷新電路,這使得它們能夠被容易地用作其他異步型SRAM的存儲密度升級型器件。

 結(jié)論:在選擇SRAM時,您會面對眾多的選擇方案。在某些場合,選擇是有限的。許多已經(jīng)確立了自己穩(wěn)固地位的處理器都包含了支持特殊SRAM架構(gòu)的存儲控制器。新型處理器的設(shè)計則更靈活。

為了決定最佳的可選方案,至關(guān)重要的是確定存儲器子系統(tǒng)(即兆比特每秒、初始延遲、運行功耗、待機功耗、成本等等)的優(yōu)先級以及系統(tǒng)的工作特性(讀/寫操作模式、工作頻率等等)。 網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用往往具有接近50/50的讀/寫模式,它適合于采用QDR系列的解決方案。其他應(yīng)用(甚至是同一個系統(tǒng)內(nèi)的功能電路)則往往具有不平衡的讀/寫模式,這就適合于采用公共I/O架構(gòu),包括標(biāo)準(zhǔn)同步型、NoBL型和DDR型。

本文關(guān)鍵詞:SRAM  標(biāo)準(zhǔn)同步型  PSRAM

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