最新一代存儲器eMRAM即將量產(chǎn)
2017-08-22 16:42:57
存儲器占整個半導(dǎo)體市場規(guī)模超20%,地位十分重要。由于標準型內(nèi)存 DRAM、NAND Flash 等微縮工藝已接近極限,許多半導(dǎo)體巨頭如英特爾、三星電子、臺積電等都在致力于發(fā)展下一代新型存儲器。
下一代新型存儲器除了eMRAM以外,還有嵌入式電阻RAM(eRRAM)、相變存儲器(PCM)、碳納米管(CNT)和鐵電場效電晶體(FeFET)等。其中eMRAM 速度最快,應(yīng)用前景也被看好,但由于采用了大量的新材料、新結(jié)構(gòu),量產(chǎn)難度極大。
eMRAM是一種極具應(yīng)用潛力的下一代新型存儲器,它最大的優(yōu)勢在于結(jié)合了非易失性與無限使用壽命。相比目前的DRAM或者SRAM,包括它的高數(shù)據(jù)密度、高可制造性、高速度、非易失性和耐久性等,與DRAM和SRAM相比優(yōu)勢還是非常明顯的。
全球半導(dǎo)體各大巨頭正在下一代新型存儲器市場展開強力競爭,這很可能全面改變半導(dǎo)體市場的發(fā)展前景,并成為未來半導(dǎo)體代工的主要業(yè)務(wù)之一。目前三星電子正大力發(fā)展eMRAM記憶體,三星的28nm FD-SOI(Fully Depleted Silicon on Insulator)制程有eMRAM 的選項,其中eMRAM的風險生產(chǎn)為2018年;而18nm的FD-SOI制程的風險生產(chǎn)將始于2020年,也有eMRAM的選項。歐洲最大半導(dǎo)體廠商-恩智浦半導(dǎo)體已經(jīng)決定使用三星電子的eMRAM記憶體,以應(yīng)用在相關(guān)的物聯(lián)網(wǎng)裝置之上。臺積電發(fā)布在2018年下半年于28nm制程中生產(chǎn)eMRAM。而GlobalFoundries也發(fā)布,計劃在2017年于22nm FD-SOI制程上提供eMRAM,2018年進入量產(chǎn)。
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