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瑞薩高速SRAM*1 產(chǎn)品資料

2017-08-25 14:17:51

隨著互聯(lián)網(wǎng)的廣泛普及,傳輸速度和發(fā)送到通信設(shè)備的信息量也在不停添加,現(xiàn)在數(shù)據(jù)速率已經(jīng)超過了40Gb/s。檢查數(shù)據(jù)終點(diǎn)和管理高端網(wǎng)絡(luò)設(shè)備內(nèi)的數(shù)據(jù)包流量的需要不斷推動(dòng)著對(duì)具有高速操作功能的大密度存儲(chǔ)器需求的增長(zhǎng)。并且,數(shù)據(jù)復(fù)雜度也隨視頻、語音和數(shù)據(jù)應(yīng)用而不斷增加,因此需要更大的存儲(chǔ)容量。
 
現(xiàn)在,瑞薩提供了大量面向工業(yè)應(yīng)用和UNIX*3服務(wù)器與工作站內(nèi)高速緩沖存儲(chǔ)器的SRAM、18Mb網(wǎng)絡(luò)SRAM以及面向通信設(shè)備的36Mb DDRII與QDRII SRAM。隨著網(wǎng)絡(luò)設(shè)備性能和功能的不斷提高,瑞薩利用其設(shè)計(jì)專長(zhǎng)和生產(chǎn)技術(shù)為72Mb QDRII與QDRII+ SRAM產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了更高的速度和高可靠性,從而滿足了通信應(yīng)用對(duì)高速、大容量和大位寬度的需求。
  
產(chǎn)品詳情 
  
新產(chǎn)品均提供所有突發(fā)長(zhǎng)度和位寬度組合,并且標(biāo)準(zhǔn)HSTL(高速晶體管邏輯)接口用于超高速同步SRAM.
  
新產(chǎn)品采用165-引腳塑料FBGA封裝,尺寸為15 mm × 17 mm,具有杰出的散熱特性,適于大密度安裝。這些產(chǎn)品符合RoHS指令*4的要求,還提供無鉛版本。QDR引腳配置支持將來向高達(dá)288Mb的密度無縫移植。并且,采用FBGA封裝的產(chǎn)品支持IEEE標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試存取端口和邊界掃描架構(gòu)(IEEE標(biāo)準(zhǔn)1149.1-1990),能夠在板級(jí)模塊安裝過程中實(shí)現(xiàn)交叉連接檢查。
  
對(duì)于將來該領(lǐng)域的開發(fā),瑞薩制定了長(zhǎng)遠(yuǎn)的發(fā)展規(guī)劃,并致力于開發(fā)容量更大、性能更高的QDR/DDR SRAM產(chǎn)品以支持不斷變化的用戶需求。

本文關(guān)鍵詞:DDRII   SRAM  高速同步SRAM

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