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FRAM存儲器有哪些特點

2017-09-06 16:14:29

FRAM存儲器是集合了ROM和RAM兩種存儲器的優(yōu)勢。擅長于進行高速寫入、具有長的耐久力和低功耗。富士通半導體可提供采用串行(I2C和SPI)和并行外設的FRAM產(chǎn)品。 不同接口的產(chǎn)品各自都有哪些特點呢?
 
串行接口
串行接口存儲器的產(chǎn)品陣容有16Kbit至4Mbit的SPI接口產(chǎn)品,以及4Kbit至1Mbit的I2C接口產(chǎn)品。電源電壓除主要的3.3V工作產(chǎn)品外,正在擴充1.8V工作產(chǎn)品。封裝除能夠與EEPROM及串行閃存兼容的SOP外,還提供可穿戴設備用SON(Small Outline Non-leadedpackage)及WL-CSP(Wafer Level Chip Size Package)等超小型封裝產(chǎn)品。

                                 
 
與其他非易失性存儲器相比,串行接口存儲器最大的優(yōu)勢是寫入快、讀寫耐久性高、功耗低。
 
                
*1 :當工作溫度低于+85℃時,數(shù)據(jù)保持時間可以延長,詳細請參考數(shù)據(jù)手冊。


              

*1 :當工作溫度低于+85℃時,數(shù)據(jù)保持時間可以延長,詳細請參考數(shù)據(jù)手冊。
*2 :滿足SPI以及Quad SPI接口
*3 :高速讀取模式時,可實現(xiàn)最大40MHz操作。
*4 :有二進制計數(shù)器功能
*5 :雙SPI模式時,可實現(xiàn)最大7.5MHz操作。
 
并行接口存儲器
并行接口存儲器為采用TSOP或SOP封裝的256Kbit至4Mbit的產(chǎn)品,工作時的電源電壓為3.3V,但MB85R4M2T能夠在1.8V-3.6V的大范圍內(nèi)進行工作。封裝方式為能夠與SRAM兼容的TSOP或SOP。

                    

在SRAM及使用數(shù)據(jù)保持電池的應用中,并行接口存儲器被作為進一步降低能耗或減少電池的解決方案。

                  
*1 :當工作溫度低于+55℃或+85℃時,數(shù)據(jù)保持時間可以延長,詳細請參考數(shù)據(jù)手冊。
 
未來富士通還將通過技術來發(fā)來提高一些技術規(guī)格,如工作電壓和存取速度,并提供多種產(chǎn)品。富士通半導體能夠利用其它公司不能提供的富士通獨有技術,提供廣泛的單獨FRAM產(chǎn)品。


本文關鍵詞:FRAM存儲器  SPI接口
 
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