新型存儲器面臨的挑戰(zhàn)
2017-09-07 16:01:33
哪種存儲會是未來的選擇?
FRAM的讀寫速度主要取決于鐵電材料的極化反轉(zhuǎn)特性,根據(jù)目前理論極化反轉(zhuǎn)速度可達(dá)到皮秒量級。
MRAM利用磁性存儲數(shù)據(jù),容量成本低,具有高速存取、低功耗、無限次讀寫、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn),在航空航天、軍事、移動通訊等領(lǐng)域的應(yīng)用有很大優(yōu)勢。
PRAM被認(rèn)為是FLASH和DRAM的替代者,讀寫速度是普通閃存的30倍,同時其擦寫壽命也是閃存的10倍。PRAM的最大優(yōu)點(diǎn)是高效能和低耗電。
RRAM具有與CMOS低功耗、工藝兼容性好、易于隨先進(jìn)工藝微縮等優(yōu)點(diǎn)受到廣泛關(guān)注。
新型存儲器挑戰(zhàn)
FRAM目前作為新型存儲器的主要問題是鐵電薄膜材料。未來發(fā)展需要解決的主要難題:一是采用3D結(jié)構(gòu)縮小單元面積提高集成度;二是提高鐵電薄膜特性。
RRAM還是一項(xiàng)走在前沿的研究課題,現(xiàn)在還主要停留在實(shí)驗(yàn)室階段。未來材料的尋找仍然是RRAM面臨的主要問題。
而臺積電未來選擇先生產(chǎn)的MRAM和PRAM也會遇到不小的挑戰(zhàn)。MRAM的主要問題在于其高昂的制造成本。其次MRAM依靠磁性存儲材料,磁場會對周圍的芯片產(chǎn)生怎樣的影響需要謹(jǐn)慎思考。
PRAM目前最大的問題是成本和容量。目前PRAM的單位容量成本還是比NAND高不少。發(fā)熱對于PRAM來說是個大問題,由于PRAM需要加熱電阻式材料發(fā)生相變,隨著工藝越來越先進(jìn),單元變得越來越精細(xì),對于加熱元件的控制要求也將越來越高,那發(fā)熱帶來的影響也將加大。發(fā)熱和耗電將會制約PRAM的進(jìn)一步發(fā)展。
嵌入式存儲器未來
嵌入式存儲器具有大容量集成的優(yōu)勢,是SOC的重要組成部分,具有重要的創(chuàng)新性和實(shí)用性。何種嵌入式存儲器將取得最終的成功,
取決于多方面的因素:能否與標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝兼容,在不斷增加復(fù)雜性的工藝步驟的基礎(chǔ)上,實(shí)現(xiàn)大容量的片上集成,從而提高其性價比;能否隨著工藝的發(fā)展縮小尺寸,解決超深亞微米工藝的延續(xù)性和擴(kuò)展性問題,這是所有采用電容結(jié)構(gòu)存儲信息的存儲器面對的共同挑戰(zhàn);能否滿足片上其他高速邏輯的帶寬需要,構(gòu)成帶寬均衡、穩(wěn)定簡潔的集成系統(tǒng);準(zhǔn)確的市場定位,保持量產(chǎn)。
總而言之每項(xiàng)技術(shù)的發(fā)展都有其機(jī)會與挑戰(zhàn)。而無懼挑戰(zhàn)勇于創(chuàng)新的企業(yè)最終將贏得市場。
本文關(guān)鍵詞:
嵌入式存儲器 MRAM FRAM
相關(guān)文章:
新型存儲器摩拳擦掌
深圳市英尚微電子有限公司,十年來專業(yè)致力代理分銷存儲器芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM(DDR1/DDR2/DDR3)等,為客人提供性價比更高的產(chǎn)品及方案。
了解更多關(guān)于存儲芯片知識,請關(guān)注英尚微電子:http://www.henhenlu10.com