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MRAM的應(yīng)用

2017-09-19 14:52:06

eMRAM的市場機會和其他新興的、現(xiàn)有的存儲器技術(shù)基本一樣:新的大量市場包括聯(lián)網(wǎng)、移動性、數(shù)據(jù)中心、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)以及汽車等。Eggleston指出,對于Globalfoundries來說,物聯(lián)網(wǎng)與汽車市場更加重要。“我們曾經(jīng)說過這兩大市場在很大程度上是相同的,但作為一家代工廠來說,我們在汽車領(lǐng)域取得了更大的成長動能。”
  
嵌入式快閃存儲器(eFlash)一直是目前大眾普遍使用的嵌入式存儲器,但因應(yīng)市場需求存在多種新興的存儲器選擇。除了eMRAM以外,還有嵌入式電阻RAM(eRRAM)、相變存儲器(PCM)、碳納米管(CNT)和鐵電場效電晶體(FeFET)等。Eggleston指出,無論是哪一種選擇,都必須在數(shù)據(jù)保存、效率與速度方面權(quán)衡選擇。CNT和FeFET都展現(xiàn)出了巨大的發(fā)展?jié)摿?,但目前還不夠成熟,而PCM則適用于特定應(yīng)用,而無法廣泛用于嵌入式應(yīng)用。
  
Eggleston說:“MRAM和RRAM具有類似的功能,二者都是后段校準(zhǔn)的存儲器,因而能更易于落實于邏輯制程中。”可用的制程技術(shù)包括需要大型芯片、FD-SOI或FinFET的制程。他并表示,eFlash可內(nèi)建于芯片之中,但如果要建置于各種不同的技術(shù)中將更具挑戰(zhàn)性。
  
Eggleston說,RRAM的堆疊更簡單,因為在電極之間所需的材料較少。他說:“而且它并不需要像MRAM一樣的設(shè)備投資。MRAM由于堆疊較復(fù)雜,確實需要一些資本設(shè)備投資。”然而,他指出,RRAM無法提供滿足更廣泛市場所要求的數(shù)據(jù)保存、速度以及耐用度等能力。
  
Eggleston說,MRAM較RRAM出色之處在于其多功能性,因為它的材料組成可在電極之間加以調(diào)整。“你可以為其進(jìn)行調(diào)整,使其具有更好的數(shù)據(jù)保存能力,或是支援更快的寫入速度與耐用性。”他并補充說,這種可調(diào)整的能力讓Globalfoundries能在先進(jìn)節(jié)點跨足eFlash的領(lǐng)域,也可以調(diào)整其速度,使其得以作為非揮發(fā)性快取,用于服器處理器與儲存控制器中。
 
 
本文關(guān)鍵詞:MRAM

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